[实用新型]一种SSD控制SOC芯片无效
申请号: | 201120098823.4 | 申请日: | 2011-04-07 |
公开(公告)号: | CN202041884U | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 于治楼;姜凯;李峰 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/16 | 分类号: | G06F1/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ssd 控制 soc 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种微电子技术产品,具体地说是一种SSD控制SOC芯片。
背景技术
随着半导体工艺技术和设计工具的发展,愈来愈复杂的功能集成到单硅片上,SOC(片上系统)正是在集成电路(IC)向集成系统(IS)转变的大方向下产生的。SOC的出现使集成电路发展成为集成系统,整个电子整机的功能将可以集成到一块芯片中。在不久的将来,集成电路与电子整机之间的界限将被彻底打破。SOC就是将微处理器、模拟IP核、数字IP核和存储器集成在单一芯片上。SSD因为其存储介质为NandFlash,所以它便具有了与NandFlash相似优势:轻便、存储密度大、功耗低、抗震和温度适应范围宽。但目前并未有这两者结合的微电子技术。
发明内容
本实用新型的技术任务是针对现有技术的不足,提供一种设计合理、结构简单的SSD控制SOC芯片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:包括控制逻辑、外围设备、AMBAAPB外围总线、AHB-APB桥、AMBAAHB系统总线、寄存器控制器、片上SRAM/ROM、SATA从设备接口、智能DMA、总线矩阵、Sdram控制器、Nand闪存控制器和PRD存储器;控制逻辑、智能DMA、总线矩阵、SATA从设备接口、片上SRAM/ROM、AMBA APB外围总线和寄存器控制器分别与AMBA AHB系统总线相连接;外围设备与AMBA APB外围总线相连接,智能DMA与总线矩阵相连接,总线矩阵再分别与SATA从设备接口、Sdram控制器、Nand闪存控制器和PRD存储器相连接。
AMBAAPB外围总线通过AHB-APB桥与AMBAAHB系统总线相连接。
控制逻辑由ARM7,JTAG端口和AMBA总线控制器组成。
外围设备由看门狗,中断控制器,功耗管理,定时器,串口和GPIO六部分组成。
智能DMA由3路DMA Master组成。
Nand闪存控制器总共有8个,每个数据通道最多支持8个片选,最大支持挂载64片NandFlash。
NandFlash控制器(NFC)支持硬件8/12/24bit ECC校验,每2个数据通道共用1个ECC校验单元。NFC内含4x4KB FIFO,支持SLC/MLC。
SATA端具有一个独立的PRD存储器,系统可将解析过的SATA指令放入PRDM的命令队列(CMD Queue),SATA可根据队列情况,决定是否继续发送指令,而不用发送中断,从而避免中断时延。SATA的NCQ(Native Command Queue,原生命令队列)可根据指令内容进行区分,重新分配指令顺序,从而提高读写效率。
智能DMA会将写入数据,通过Sdram控制器备份到Sdram中,在写数据报错后,会将备份数据重载,确保数据写入正确。
本实用新型的一种SSD控制SOC芯片与现有技术相比,所产生的有益效果是:
SOC芯片支持硬件ECC校验,支持写操作智能备份,数据传输安全性有很大提高。SSD因为其存储介质为NandFlash,所以它便具有了与NandFlash相似优势:轻便、存储密度大、功耗低、抗震和温度适应范围宽。而SSD控制SOC芯片将对SSD的性能具有很大影响。
附图说明
附图1是本实用新型的结构示意图。
图中,1、控制逻辑,2、外围设备,3、AMBAAPB外围总线,4、AHB-APB桥,5、AMBA AHB系统总线,6、寄存器控制器,7、片上SRAM/ROM,8、SATA从设备接口,9、智能DMA,10、总线矩阵,11、Sdram控制器,12、Nand闪存控制器,13、PRD存储器,14、DMA Master,15、JTAG端口,16、ARM7,17、AMBA总线,18、看门狗,19、中断控制器,20、功耗管理,21、定时器,22、串口,23、GPIO。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作以下详细说明。
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