[实用新型]中压变频器的控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种控制电路，尤其是一种中压变频器的控制电路，属于中压变频器控制的技术领域。

背景技术

电动机是工业生产中主要的耗电设备，中压大功率电动机的应用更为突出，而这些设备大部分都存在很大的节能潜力，所以大力发展中压大功率变频调速技术具有时代的必要性和迫切性。国家也提出节能减排的目标责任制作为对企业考核目标；高污染高能耗企业将被淘汰，而中压变频器的应用也逐步得以推广。变频调速技术发展至今已有30多年的历史，由低压变频器构成的交流调速系统，因其技术上的不断创新，使系统在性能上不断地完善，并在电气传动领域挑战直流调速系统，已得到了广泛的应用。现在，中压变频技术在发达国家已经成熟，随着新的电力电子器件的不断出现，新的变换技术层出不穷，使得其得到更加广泛的推广应用。中压大功率调速领域采用交流变频调速已是其发展的趋势。这是因为中压大功率（315kW以上）的交流调速系统无论是在性能上，还是在价格上都优于直流系统。中压变频技术泛指3kV、6kV、10kV三个电压等级领域的变频技术。为实现对中压大功率交流电动机的变频调速，人们提出了多种拓扑结构，比较实用并已产品化的中压变频器，按其主接线可分为交—交变频和交—直—交变频两大类。而交—直—交变频又可分为中—低—中方式、中—低方式及中—中方式。按中间直流滤波环节的不同，在交—直—交变频领域中又可分为电流源型、三电平PWM（Pulse Width Modulation）电压源型（也称为Neutral Point Clamped中点嵌位）、单元串联多电平PWM电压源型。中压变频技术的迅速发展是建立在电力电子技术的创新、电力电子器件及材料的开发及器件制造工艺水平提高基础之上的，尤其是高压大容量GTO（Gate Turn-Off Thyristor）、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）器件的成功开发，使中压大功率变频技术得以迅速发展，性能日益完善。

但是，目前中压变频器在对中压大功率电动机进行变频调速控制时，控制精度低，稳定性差，影响了中压大功率电动机的变频调速应用。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种中压变频器的控制电路，其结构紧凑，安装实用方便，抗干扰能力强，控制精度高，稳定性好，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述中压变频器的控制电路，包括用于检测主电路电压与电流信号的主电路信号检测模块及用于检测变压器电压及电流信号的变压器信号检测模块，所述主电路信号检测模块的输出端通过第二滤波模块及第一线性光耦合理模块与第一偏置比例模块的输入端相连，第一偏置比例模块的输出端与用于模数信号转换的模拟电路控制模块相连，模拟电路控制模块与第一微处理器相连；变压器信号检测模块的输出端通过第二滤波模块及第二线性光耦隔离模块与第二偏置比例模块的输入端相连，第二偏置比例模块通过模拟电路控制模块与第一微处理器的输入端相连；模拟电路控制模块的输出端与用于输出多电平PWM信号的模拟信号输出模块相连。

所述变压器信号检测模块包括变压器电压检测模块及变压器电流检测模块。

所述变压器信号检测模块还包括变压器温度检测模块，所述变压器温度检测模块的输出端通过第二滤波模块及第二线性光耦隔离模块与温度检测仿真模块相连，温度检测仿真模块的输出端通过模拟电路控制模块与第一微处理器相连。

所述主电路信号检测模块包括主电路电流检测模块及主电路电压检测模块。

所述主电路电流检测模块为电流互感器，主电路电压检测模块为电压互感器。

所述第一微处理器与第二微处理器相连，第二微处理器通过通讯模块与上位机相连。

所述第一微处理器为DSP，第二微处理器为FPGA；所述通讯模块为RS485通讯电路。

所述第一微处理器的输出端与显示/键盘电路相连，第一微处理器的输入端与JTAG接口相连。

所述模拟电路控制模块的输入端与模拟信号输入模块相连，第一微处理器与开关量控制模块相连。