[实用新型]通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件无效
| 申请号： | 201120099946.X | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN202018998U | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 袁毅 | 申请（专利权）人： | 袁毅 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人： | 谢自安 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 镀镍键合 铜丝 连接 半导体 发光二极管 二次 封装 | ||
1.一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于：包括支架(1)，在所述的支架(1)上通过导电胶(5)粘接有至少一个半导体发光二极管封装件(3)和至少一个驱动或控制电路器件(4)，在所述的半导体发光二极管封装件(3)与驱动或控制电路器件(4)之间连接有镀镍键合铜丝(6)，在所述的半导体发光二极管封装件(3)与所述的支架(1)连接有镀镍键合铜丝(6)，所述的驱动或控制电路器件(4)与支架(1)之间设有镀镍键合铜丝(6)，在所述的支架(1)，半导体发光二极管封装件(3)，驱动或控制电路器件(4)，镀镍键合铜丝(6)外封装有的密封体(7)。
2.根据权利要求1所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的半导体发光二极管封装件(3)包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。
3.根据权利要求1或2所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述镀镍键合铜丝(6)包括铜芯线(61)或铜合镍芯线(62)，在铜芯线(61)或铜合镍芯线(62)的表面包覆有镍层(63)，所述的镍层(63)是通过电化学镀或化学镀工艺沉积在铜芯线(61)或铜合镍芯线(62)表面上形成的。
4.根据权利要求1所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的镀镍键合铜丝(6)直径范围为0.075mm-0.010mm，镍层(63)厚度为0.1-0.4um。
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