[实用新型]通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件

说明书

[技术领域]

本实用新型涉及一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。

[背景技术]

现有的半导体发光二极管封装件，它的基本结构是将经过封装的半导体发光二极管与其驱动或控制电路器件在完成连接后，用密封材料密封，并输出可见光。

经过封装的半导体发光二极管与其驱动或控制电路器件分别粘结在支架上，通过键合铜丝相互连接。虽然铜引线键合作为一种可行的、经济的解决方案，已应用在半导体封装中。但是由于铜引线键合是集成到现有的金引线键合工艺(主要是焊层材料)及封装设备上，所以，目前铜引线键合所占的引线键合比例依然很少，主要是因为铜引线键合面临着一些难点：

(1)键合铜丝容易被氧化；

(2)键合接口结合力不够强壮，可靠性不稳定。

电子结构和原子尺寸决定着化学性能，键合铜丝容易被氧化。在金引线键合工艺中，芯片焊盘由金或铝、引线框架(支架或基板)焊层由镀金层构成，金、金原子容易扩散、再结晶，接口结合力强壮。而铜与金焊接，接口结合力较弱，可靠性不稳定，是业界一直致力解决的难题。

随着工业逐步向绿色封装转移，NiPdAu预镀引线框架正逐渐获得应用，除了不用担心锡须生长问题的好处之外，NiPdAu引线框架取消了后镀工艺，有助于缩短生产周期。把铜线和NiPdAu引线框架结合起来，将会在电阻、成本节约和周期时间方面有显著改善。然而，在NiPdAu框架上的铜线键合和在镀金的框架上的铜线键合之间存在显著不同，需要不同的结合条件，提高接口结合力。

[实用新型内容]

本实用新型的目的是提供了一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。

本实用新型采用下述技术方案：

一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，包括支架，在所述的支架上通过导电胶粘接有至少一个半导体发光二极管封装件和至少一个驱动或控制电路器件，在所述的半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间连接有镀金键合铜丝，在所述的半导体发光二极管封装件与所述的支架连接有镀金键合铜丝，所述的驱动或控制电路器件与支架之间设有镀金键合铜丝，在所述的支架，半导体发光二极管封装件，驱动或控制电路器件，镀金键合铜丝外封装有的密封体。

如上所述的通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的半导体发光二极管封装件包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。

如上所述的通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述镀金键合铜丝包括铜芯线或铜合金芯线，在铜芯线或铜合金芯线的表面包覆有金层，所述的金层是通过电化学镀或化学镀工艺沉积在铜芯线或铜合金芯线表面上形成的。

如上所述的通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的镀金键合铜丝直径范围为0.075mm-0.010mm，金层厚度为0.1-0.4um。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型中半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间，半导体发光二极管封装件与所述的支架，所述的驱动或控制电路器件与支架之间，分别通过一种表面包覆纯金层或金合金层的键合铜丝连接，这样解决键合铜丝被氧化问题，可在保护气芬下进行键合，提高接口结合强度和稳定的可靠性。镀金键合铜丝能通过不多的成本增加来获得额外的连接能力提升，提高封装性能和实现高密度封装。

[附图说明]

图1为本实用新型结构示意图；

图2为图1中A处的放大图；

图3为镀金键合铜丝的剖面示意图之一；

图4为镀金键合铜丝的剖面示意图之二。

[具体实施方式]

如图1和2所示，本实用新型公开了一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，包括支架1，在所述的支架1上通过导电胶5粘接有至少一个半导体发光二极管封装件3和至少一个驱动或控制电路器件4，在所述的半导体发光二极管封装件3与驱动或控制电路器件4之间连接有镀金键合铜丝6，在所述的半导体发光二极管封装件3与所述的支架1连接有镀金键合铜丝6，所述的驱动或控制电路器件4与支架1之间连接有镀金键合铜丝6，在所述的支架1，半导体发光二极管封装件3，驱动或控制电路器件4，镀金键合铜丝6外封装有的密封体7。

本实用新型中所述的半导体发光二极管封装件3包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。

本实用新型中，所述的镀金键合铜丝6直径范围为0.075mm-0.010mm，金层63厚度为0.1-0.4um。