[实用新型]高压二极管反向浪涌电流发生器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电流发生器，特别是一种高压二极管反向浪涌电流发生器。

背景技术

目前，在生产半导体功率器件时，需要对高压半导体器件施加反向脉冲电流，以考察器件抗反向浪涌电流的冲击能力。但是目前国内没有能够产生高压二极管需要的可调脉冲宽度100-500uS、可调脉冲电流50-200mA、最大脉冲电压25KV的反向浪涌电流脉冲产生和控制的发生器，基于上述原因，设计了一种高压二极管反向浪涌电流发生器来测试高压半导体器件的抗反向浪涌电流的冲击能力。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种能测试高压半导体器件抗反向浪涌电流冲击能力的高压二极管反向浪涌电流发生器。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：一种高压二极管反向浪涌电流发生器，包括启动开关、单片机、恒流控制电路、IGBT管阵列单元、储能电容阵列单元、高压脉冲变压器、被测器件，其中，启动开关输出端连接单片机第一输入端，单片机第一输出端连接恒流控制电路第一输入端，单片机第二输出端连接恒流控制电路第二输入端，恒流控制电路输出端连接IGBT管阵列单元第一输入端，储能电容阵列单元输出端连接IGBT管阵列单元第二输入端，IGBT管阵列单元第一输出端连接恒流控制电路第三输入端，IGBT管阵列单元第二输出端连接高压脉冲变压器输入端，高压脉冲变压器第一输出端连接被测器件输入端，高压脉冲变压器第二输出端连接连接单片机第二输入端，被测器件输出端连接单片机第三输入端。

所述单片机第四输入端连接电流设置单元，所述单片机第五输入端连接脉冲宽度设置单元。

所述单片机第三输出端连接浪涌电流显示单元，所述单片机第四输出端连接浪涌电压显示单元。

本实用新型是使用高压脉冲变压器及相关器件完成能量传递，实现高压脉

冲电流的产生、电流幅度和宽度控制，进一步实现对高压半导体器件施加反向脉冲电流，以考察器件抗反向浪涌电流的冲击能力。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型能有效地对高压半导体器件施加反向脉冲电流，以考察器件抗反向浪涌电流的冲击能力，保证生产出的半导体功率器件具有良好的可靠性能；

2、本实用新型生产成本低，成本在2万元以下。

附图说明

图1是本实用新型的电路图。

图中标记：1为电流设置单元，2为脉冲宽度设置单元，3为启动开关，4为浪涌电流显示单元，5为浪涌电压显示单元，6为单片机，7为恒流控制电路，8为IGBT管阵列单元，9为储能电容阵列单元，10为高压脉冲变压器，11为被测器件，12为T初级电流脉冲，13为高压浪涌脉冲。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。