[实用新型]一种单晶炉的二次投料装置无效

专利信息
申请号: 201120102386.9 申请日: 2011-04-11
公开(公告)号: CN202064031U 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 朱仲宝;夏伟 申请(专利权)人: 江苏宝佳太阳能发展有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 任利国
地址: 225006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉 二次 投料 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种单晶炉的二次投料装置,属于单晶炉技术领域。

背景技术

目前,通常使用单晶炉制取单晶硅,单晶炉自下而上的主要部件依次有炉底板、炉体、炉盖、翻板箱、副炉等,各部件内均设有夹套层,夹套中流通有冷却水。单晶硅一般采用如下方法制造:将多晶硅装进炉体内的石英坩埚内,加热熔化,然后,将熔硅略做降温,给予一定的过冷度,把籽晶装入硅籽晶夹持器中,将籽晶夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接,籽晶固定于夹持器的下端,并且使籽晶与硅熔体接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上的提升速度,使籽晶体长大。

由于多晶硅刚装进石英坩埚内呈堆积状态,占据空间比较大,造成了石英坩埚内的一次装填量比较少,待多晶硅被加热熔化后,其体积大幅度缩小,石英坩埚上部尚余较大的空间。多晶硅原料的装填量不足,造成了一次拉出的单晶硅棒体长度较短。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,克服现有技术中存在的问题,提供一种单晶炉的二次投料装置,待初次投入的多晶硅熔化后,可以向石英坩埚内进行二次投料。

为解决以上技术问题,本实用新型所提供的一种单晶炉的二次投料装置,包括筒体及位于筒体中的吊杆,所述筒体上部为圆柱筒,所述圆柱筒的上端口为加料口,筒体上部外壁焊接有垂直于筒体壁的法兰,所述圆柱筒的下部连接有上大下小的锥形筒,所述锥形筒的下端为投料口;所述投料口设有将其封闭的锥形活门,所述锥形活门上小下大,其下端直径大于所述投料口的直径;所述吊杆的下端连接在所述锥形活门的上部中心,所述吊杆的上部伸出所述筒体外,所述吊杆的上端头连接有吊杆头,所述吊杆头的上部设有悬挂孔;所述筒体的上端口及下部各设有一副吊杆支架,所述吊杆支架包括吊杆套及扁钢,所述吊杆套的中心设有吊杆孔,所述吊杆孔与所述筒体共有一根中心线,所述吊杆依次穿过所述吊杆孔,所述吊杆套的外周通过所述扁钢支撑在所述筒体的内壁。

相对于现有技术,本实用新型取得了以下有益效果:吊杆头被挂钩拎起后,筒体及吊杆处于垂直状态,筒体的重量落在锥形活门上,锥形活门将筒体下端的投料口封堵住,筒体内的多晶硅原料不会漏出;筒体被吊入炉体内,当筒体上端的法兰接触到支架时,筒体得到支撑,吊杆下降将使锥形活门离开投料口,多晶硅原料从投料口流出落入石英坩埚内,完成二次投料,借助于本实用新型的二次投料装置,可以加大投料量。

附图说明

图1为单晶炉的总体结构图。

图2本实用新型单晶炉的二次投料装置的外形图。

图3为图2的剖视图。

图4为图3中沿A-A的剖视图。

图5为本实用新型单晶炉的二次投料装置投料时的状态图。

图中:1炉体;2炉盖;3翻板箱;4副炉;5石英坩埚;6籽晶; 7筒体;7a圆柱筒;7b锥形筒;8法兰;8a加强板;9锥形活门;10吊杆;11吊杆头;11a悬挂孔;12吊杆支架;12a吊杆套;12b扁钢。

具体实施方式

如图1所示,单晶炉包括炉体1、炉盖2、翻板箱3及副炉4等,石英坩埚5位于炉体1内,多晶硅原料在石英坩埚内被加热熔化,籽晶6与硅熔体接触,通过调整熔体的温度和籽晶6向上的提升速度,使籽晶体长大。

如图2、图3及图4所示,本实用新型单晶炉的二次投料装置包括筒体7及位于筒体7中的吊杆10,筒体7上部为圆柱筒7a,圆柱筒7a的上端口为加料口,筒体7上部外壁焊接有垂直于筒体壁的法兰8,法兰8上焊接有多个加强板8a,圆柱筒7a的下部连接有上大下小的锥形筒7b,锥形筒7b的下端为投料口;投料口设有将其封闭的锥形活门9,锥形活门9上小下大,其下端直径大于投料口的直径;吊杆10的下端连接在锥形活门9的上部中心,吊杆10的上部伸出筒体7外,吊杆10的上端头连接有吊杆头11,吊杆头11的上部设有悬挂孔11a;筒体7的上端口及下部各设有一副吊杆支架12,吊杆支架12包括吊杆套12a及扁钢12b,吊杆套12a的中心设有吊杆孔,吊杆孔与筒体7共有一根中心线,吊杆依次穿过吊杆孔,吊杆套12a的外周通过扁钢12b支撑在筒体7的内壁。

如图5所示,当筒体7上端的法兰8接触到支架时,筒体7得到支撑,吊杆下降将使锥形活门9离开投料口,多晶硅原料从投料口流出落入石英坩埚内,完成二次投料。

除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围内。

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