[实用新型]一种单栅极双薄膜晶体管及其器件

权利要求书

1.一种单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：

两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管在空间上垂直分布，共用一个栅极，所述两个薄膜晶体管分别位于所述栅极的上、下面。

2.根据权利要求1所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述单栅极双薄膜晶体管由基板(1)、第一有源层(2)、第一欧姆接触层(4)、第一栅极绝缘层(3)、栅极层(5)、第二栅极绝缘层(6)、第二有源层(7)、第二欧姆接触层(8)、源漏极层(9)、保护层(10)依次构成。

3.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层(9)与第一欧姆接触层(4)形成接触，所述第一有源层(2)、所述第一欧姆接触层(4)、所述第一栅极绝缘层(3)、所述栅极层(5)和所述源漏极层(9)构成第一薄膜晶体管；所述栅极层(5)、所述第二栅极绝缘层(6)、所述第二有源层(7)、所述第二欧姆接触层(8)和所述源漏极层(9)构成第二薄膜晶体管。

4.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层(2)和所述第二有源层(7)采用非晶硅、多晶硅、晶体硅、微晶硅、氧化物半导体材料、和/或有机半导体材料构成本征、n型掺杂或p型掺杂半导体。

5.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层(3)、所述第二栅极绝缘层(6)和所述保护层(10)采用无机绝缘材料和/或有机绝缘材料中的至少一种构成。

6.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层(5)和所述源漏极层(9)采用金属、多晶硅或导电薄膜中的至少一种构成。

7.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层(4)和所述第二欧姆接触层(8)采用非晶硅、 多晶硅、晶体硅、微晶硅、氧化物半导体材料、和/或有机半导体材料构成n型掺杂或p型掺杂半导体。

8.根据权利要求2所述的单栅极双薄膜晶体管，其特征在于，所述基板(1)由玻璃、塑料、硅片或陶瓷构成。

9.采用如权利要求1-8任一所述的单栅极双薄膜晶体管制作的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板采用所述单栅极双薄膜晶体管作为液晶盒支撑物。