[实用新型]用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及芯片制造领域，尤其涉及一种用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构。

背景技术

球焊是集成电路引线键合中最具代表性的焊接技术。它是在一定的温度下，对键合劈刀施加压力，同时加载超声振动，将烧成球形的引线一端键合在芯片的金属化焊盘上，另一端键合到引线框架上，实现芯片内部电路与外围电路的电连接。由于球焊操作技术要求高、焊点细。而且焊点牢固，要求有方向性，故设定焊接线路图后可实现高速自动化焊接。

传统的球焊引线是采用高纯金。随着集成电路封装密度的增加，引线数增多，而市场行情却要求封装成本更低。在金线用量增大，金线价格上升的情况下，封装成本亦会相应的增加。这一难题成为集成电路封装业的瓶颈。

中国实用新型专利申请号为：“200820235164.2”，名称为：“一种用超声波铜线制造集成电路芯片封装结构”的专利文件中公开了一种用超声波铜线制造集成电路芯片封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片、铜线，所述金属框架上设有衬底区和引脚区，其中，进一步包括导电层，所述导电层设在所述衬底区和引脚区，所述芯片固定在所述衬底区的导电层上，所述芯片的表面具有金属化焊盘，所述金属化焊盘的要求厚度大于3um，焊盘点大于90um，所述铜线的一端球焊在所述金属化焊盘上，另一端压焊在所述引脚区的导电层上。该专利文件的技术方案虽然采用了比较廉价的铜线替代纯金线，但是其抗伸强度、导热性、电阻率、延伸率、线性膨胀系数等参数均达不到纯金线和混合镀金线的技术水平，导致使用该铜线制成的集成电路芯片性能受到影响。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种用混合镀金合金引线制造集成电路芯片的封装结构，能够使得采用混合镀金合金线制成的集成电路芯片达到采用纯金线的水平。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片、混合镀金合金线和导电层，在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在所述衬底区和引脚区，所述芯片固定在所述衬底区的导电层上，所述芯片的表面具有金属化焊盘，所述金属化焊盘的厚度大于等于2um，焊盘点大于60um，所述混合镀金合金线的一端球焊在所述金属化焊盘上，另一端压焊在所述引脚区的导电层上。

其中，所述在所述金属框架上连杆左右设有散热片，所述散热片对称排列在所述金属框架引脚区的引脚之间。

其中，所述结构还包括银胶层，所述银胶层设在所述衬底区的导电层与所述芯片之间。

其中，所述导电层为镀银层。

其中，所述塑封体的材质为环氧树脂。

本实用新型的有益效果是：区别于现有技术的采用铜线制造集成电路芯片的多种性能参数达不到纯金线制造集成电路芯片性能的缺陷，本实用新型通过增加芯片金属化焊盘的厚度，使金属化焊盘能够承受更大的超声能量和键合压力，在焊接过程中可保证焊接质量；且采用混合镀金合金线来作为球焊引线，其该混合镀金合金线的抗伸强度、导热性、电阻率、延伸率、线性膨胀系数等参数均达到纯金线的水平，从而在节省芯片制造成本的同时不影响芯片的性能，利于大规模推广应用。

附图说明

图1是本实用新型实施例的主视图；

图2是本实用新型实施例金属框架的结构示意图；

图3是本实用新型实施例金属框架剖示图；

图4是本实用新型实施例混合镀金合金线球焊芯片焊点示意图；

图5是本实用新型实施例混合镀金合金线球焊的结构示意图。

主要组件符号说明

1、塑封体，2、引脚，3、散热片，4、铜合金框架，5、衬底区，6、引脚区，7、边筋，8、连杆，9、边框，10、芯片，11、混合镀金合金线，12、镀银层，13、银胶层，14、铝金属化焊盘，15、芯片焊点。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。