[实用新型]发光电源插座无效

专利信息
申请号: 201120114397.9 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN201966415U 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 司梅芳;刘宝善;郝庆隆 申请(专利权)人: 北京创杰亦源技术发展有限公司
主分类号: H01R13/46 分类号: H01R13/46
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;刘伟
地址: 100176 北京市经济技术*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 电源 插座
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电源插座,尤其涉及一种发光电源插座。

背景技术

电源插座是连接电源与用电设备之间的转换及连接装置,广泛的应用于家用电器及其他用电设备上。

普通电源插座在阴暗或无光条件下不发光,存在无法识别插孔位置的缺陷,降低使用电源的安全性。

实用新型内容

为了解决上述问题,本实用新型的目的是提供一种发光电源插座,使得用户在阴暗或无光条件下,也能正确辨识出插孔的位置,提高了使用电源插座的安全性。

为了达到上述目的,本实用新型提供一种发光电源插座,包括:

一电源插头1;

一电源输入线2,与所述电源插头1连接;

一壳体3,设置有插孔31,所述插孔31内设有与所述电源输入线2连接的金属片;

一发光层4,覆盖在所述壳体3的表面上。

优选的,所述壳体3包括:第一壳体单元和第二壳体单元,所述第一壳体单元上设置有所述插孔31。

优选的,所述插孔31为两相插孔311和/或三相插孔312。

优选的,所述发光层4的材料为长余辉发光材料。

由上述技术方案可知,本实用新型具有如下有益效果:通过在发光电源插座的壳体上覆盖发光层,使得用户在阴暗或无光条件下,也能正确辨识出插孔的位置,提高了使用电源插座的安全性。

附图说明

图1为本实用新型的实施例中发光电源插座的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本实用新型实施例做进一步详细地说明。在此,本实用新型的示意性实施例及说明用于解释本实用新型,但并不作为对本实用新型的限定。

参见图1,为本实用新型的实施例中发光电源插座的结构示意图,由图中可知,该发光电源插座包括:

一电源插头1;

一电源输入线2,与所述电源插头1连接;

一壳体3,设置有插孔31,所述插孔31内设有与所述电源输入线2连接的金属片(图中未示出);

一发光层4,覆盖在所述壳体3的表面上。

在本实施例中,为了保证插座随时都能够发出光线,发光层4可采用长余辉发光材料,例如可以采用人工合成的长余辉高亮度发光材料制成,该长余辉高亮度发光材料以含硼的碱土金属铝酸盐为基质,一种以上的RE元素为激活剂,其化学分子式为:MOn[(Al1-aBa)2-b/3O3-b(OH)b]:cRE,其中:

M表示选自镁、钙、锶或钡中的至少一种碱土金属;

RE表示选自镧,铈,镨,钕,钷,钐,铕,钆,铽,镝,钬,铒,铥,镱,镥中的至少一种稀土元素;

n小于等于10,大于等于0.5;

a小于等于0.5,大于等于0.0001;

b小于等于2,大于等于0.0001;

c小于等于0.6,大于等于0.0001;

以上化学分子式表示的烧成体的晶体结构中的氧原子至少部分被OH置换,它是通过用一种或一种以上的原料溶液进行湿法研磨,使原料中的各成分研磨至粒径为50~10000纳米来制备。

而上述的人工合成的长余辉高亮度发光材料可以通过如下方法来制备:

首先,按配比称取原料,并将其研磨至粒径为50~10000纳米;

其次,将研磨后的原料置入坩埚,并将该坩埚放入压力电炉中,在还原气氛下,在600~1200摄氏度温度下煅烧2~5小时;

再次,将烧成体从电炉中取出冷却到室温;

最后,将冷却后的烧成体研磨成粉料。

按上述方法制备的长余辉发光材料的起始辉度为7400cd每平方米,可视余辉时间在80小时以上。

当然,应当理解的是,上述的发光层4也可以其他的长余辉发光材料,如95109878.0号专利中公开的长余辉发光材料,又如97100694.6、99100285.7、98123460.7号专利中公开的长余辉发光材料等,在此不一一描述。

在本实施例中,所述壳体3包括:第一壳体单元和第二壳体单元,所述第一壳体单元上设置有所述插孔31。第一壳体单元和第二壳体单元通过螺栓或者卡扣的方式连接。

在本实施例中,所述插孔31为两相插孔311和/或三相插孔312。在本实施例中并不限定该插孔31的个数和类型。

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