[实用新型]一种TO3P防水密封引线框架有效

专利信息
申请号: 201120114906.8 申请日: 2011-04-19
公开(公告)号: CN202172065U 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 侯友良 申请(专利权)人: 无锡红光微电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 to3p 防水 密封 引线 框架
【说明书】:

技术领域

    本实用新型涉及半导体器件封装的技术领域,具体为一种TO3P防水密封引线框架。

背景技术

现有的TO3P密封引线框架,芯片与引线框架的芯片部基片装配到位后进行塑封,由于芯片底部基岛的四周是平面,故引线框架与塑胶的结合强度低,防水性差。 

发明内容

针对上述问题,本实用新型提供了一种TO3P防水密封引线框架,其使得引线框架与塑胶的结合强度高、防水性好。

一种TO3P防水密封引线框架,其技术方案是这样的:其包括散热固定部、芯片底部基岛、外引脚,所述芯片底部基岛的中心安装芯片,其特征在于:所述芯片底部基岛的中心四周开有V型挡水槽,所述芯片底部基岛的V型挡水槽外侧的四周开有凹凸槽。

其进一步特征在于:所述芯片底部基岛的中心四周的所述V型挡水槽相互连通形成一个闭合空间;

所述芯片底部基岛的中心四周的所述凹凸槽相连通形成一个闭合空间;

所述凹凸槽具体为任意两个相邻的凹槽的中间部分不挖槽而组合形成的结构。

采用本实用新型的上述结构后,芯片安装在芯片部基岛的中心后,由于凹凸槽的存在,塑封后的引线框架与塑胶的结合强度高、防水性好,由于V型挡水槽的存在,进一步确保了防水性。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图;

图2是图1的A-A剖结构示意放大图;

图3是图2的B-B剖结构示意放大图。

具体实施方式

见图1、图2、图3,其包括散热片固定部1、芯片底部基岛2、外引脚3,芯片底部基岛2的中心安装芯片(图中未画出,属于现有成熟结构),芯片底部基岛2的中心的四周开有V型挡水槽4,芯片底部基岛2的位于V型挡水槽4外部的四周开有凹凸槽5,四周的V型挡水槽4相连通形成一个闭合空间;四周的凹凸槽5相连通形成一个闭合空间,凹凸槽5具体为任意两个相邻的凹槽6的中间部分不挖槽而组合形成的结构。

其中:TO3P为引线框架的型号。

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