[实用新型]基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，其特征在于，包括：

霍尔薄片，感应磁信号并将其转化为霍尔电压信号；

稳压器，将稳压后的电压施加在所述霍尔薄片上；

信号处理单元，将所述霍尔电压信号转换为单端电压并进行失调电压的消除以得到处理后的电压信号；

迟滞比较器，将处理后的电压信号与设定的阈值电压进行迟滞比较；

时钟信号与逻辑控制单元，为信号处理单元、迟滞比较器提供时钟信号和逻辑控制信号；

电压偏置单元，为信号处理单元和迟滞比较器提供偏置电压；

所述电压偏置单元产生与霍尔薄片的霍尔迁移率的温度系数相等的偏置电压，并将该偏置电压连接到信号处理单元和迟滞比较器的输入端，用作迟滞比较器的阈值电压。

2.如权利要求1所述的基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，其特征在于，还包括接收所述霍尔电压信号并进行放大后输出到所述信号处理单元输入端的运算放大电路。

3.如权利要求2所述的基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，其特征在于，所述运算放大电路包括两个对称的第一、第二运算放大器，连接第一、第二运算放大器的反相输入端的第七电阻，连接第一运算放大器的反相输入端和输出端的第八电阻，以及连接第二运算放大器的反相输入端和输出端的第九电阻；所述第七、第八、第九电阻采用相同的材料制成，第一、第二运算放大器的正相输入端分别连到霍尔薄片的两个输出端。

4.如权利要求1或2或3所述的基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，其特征在于，所述的电压偏置单元包括与霍尔薄片相同材料的第一、第六电阻，与霍尔薄片材料相同的电阻温度系数相反的第二、第三、第四、第五电阻；所述第一、第二、第三、第四、第五、第六电阻依次串联，所述第一电阻不与第二电阻连接的一端连接稳压器的输出端，所述第六电阻不与第五电阻连接的一端接地；所述第二、第三电阻的公共端形成第一输出，所述第三、第四电阻的公共端形成第二输出，所述第四、第五电阻的公共端形成第三输出。

5.如权利要求4所述的基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，其特征在于，所述的信号处理单元包括七个开关和两个电容，其中第一开关和第三开关的公共端连到第一电容的上极板，第二开关和第四开关的公共端连到第一电容的下极板，第一开关的另一端连接第一运算放大器的输出，第二开关的另一端连接第二运算放大器的输出，第三开关的另一端连到第二电容的上极板，并与迟滞比较器的反相端和电压偏置单元的第一输出相连，第四、第五、第六、第七开关的公共端与第二电容的下极板相连，第五开关的另一端与迟滞比较器的正向端相连，第六开关的另一端与电压偏置单元的第二输出相连，第七开关的另一端与电压偏置单元的第三输出相连。