[实用新型]低压差线性稳压器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种稳压器，特别涉及一种低压差线性稳压器。

背景技术

在一个电子产品中，要用到多种大小不同的电源，因此，电源管理芯片被广泛应用在电子产品中。电源管理芯片种类繁多，如降压变换电路芯片Buck，低压差线性稳压器LDO，升压变换电路芯片Boost，升降压型变换电路芯片Buck-Boost，库克变换电路芯片Cuk等等。其中低压差线性稳压器LDO，由于功耗较低，因此，被广泛应用在DC-DC电源管理芯片中。现有技术的LDO，经常需要大的静态电流使LDO反馈环路具有较大的带宽，以维持输出端的稳定，同时提高LDO的带负载能力。但在小的负载电流情况下，大的静态电流也会产生较高的功耗。也就是说，现有技术中的LDO输出电流是恒定不变的，即LDO的静态电流为恒定值，不能根据负载电流的大小而进行自适应调节。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，克服以上不足，提供了一种能够根据负载电流的大小自适应调节静态电流的低压差线性稳压器。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种低压差线性稳压器，包括全差分运算放大器，其输出端为低压差线性稳压器的输出端，用于稳定低压差线性稳压器的输出端的电压值；偏置电流控制电路，根据全差分运算放大器输出端的负载电流大小自适应调节全差分运算放大器的静态电流。

进一步的，所述全差分运算放大器包括第一级电路和第二级电路。

进一步的，所述第一级电路包括第一电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，所述第三晶体管的栅漏极短接后的公共点与第二晶体管的漏极电连接，所述第四晶体管的栅漏极短接后的公共点与第一晶体管的漏极电连接，所述第三晶体管和第四晶体管的共源端接电源电压，所述第一晶体管和第二晶体管的共源端通过第一电流源接地，所述第一晶体管的栅极端为参考电压的输入端，所述第二晶体管的栅极端为全差分运算放大器的输出端；所述第二级电路包括第二电流源、第五晶体管、反馈支路，所述第五晶体管的源极端接电源电压、栅极端与第四晶体管栅极电连接、漏极端接全差分运算放大器的输出端，所述反馈支路并接在第五晶体管的栅漏端，所述第二电流源的负接接地、正端接全差分运算放大器的输出端，所述第四晶体管的栅极端为反馈信号控制端，所述第五晶体管的栅极端为负载电流控制端。

进一步的，所述反馈支路包括第一电阻、第一电容，所述第一电阻和第一电容串联后，其电阻端接第五晶体管的栅极端，其电容端接第五晶体管的漏极。

进一步的，所述第五晶体管的宽长比与第四晶体管的宽长比的比值范围为10∶1到100∶1。

进一步的，所述偏置电流控制电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管，所述第六晶体管的源极接电源电压、栅极端与全差分运算放大器的负载电流控制端电连接、漏极分别连接第七晶体管的漏极端和第八晶体管的栅极端，所述第七晶体管的源极端分别连接第八晶体管漏极端和第九晶体管的栅极端，所述第七晶体管的栅极端为使能信号控制端，所述第八晶体管和第九晶体管的源极端接地，所述第九晶体管的漏极端与第一电流源的正端连接。

进一步的，所述第九晶体管的宽长比与第八晶体管的宽长比的比值为2∶1。

本实用新型的有益效果是：当负载电流较小时，输出电压与参考电压相当，第一电流源中的电流的一半流经第四晶体管，第四晶体管与第六晶体管构成电流镜，第六晶体管中的电流与第四晶体管中的电流相当，所以第六晶体管中的电流经第七晶体管，第八晶体管，第九晶体管对流经第四晶体管的电流进行补偿，并且补偿的电流小于第一电流源的电流，由于第一电流源的电流值本身比较小，所以在负载电流较小的情况下，整个低压差线性稳压器的静态电流都很低。

当负载电流变大的情况下，输出电压要低于参考电压，所以第一电流源中的大部分电流要流经第四晶体管，经过电流镜第六晶体管的作用，电流经第七晶体管，第八晶体管，第九晶体管对第四晶体管中的电流进行补偿，负载电流越大，补偿的电流也就越多。此时的静态电流也就越大，这样可以驱动较大的负载电流。

因此，当负载电流小的时候，静态电流也就越小，负载电流大的时候，静态电流也就越大，这样就实现了静态电流随负载电流的自适应调节。

附图说明

图1是本发明低压差线性稳压器的电路原理图；

图2是本发明低压差线性稳压器的第一种偏置电流控制电路原理图；

图3是本发明低压差线性稳压器的第二种偏置电流控制电路原理图。