[实用新型]隔离的桥式高频MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，包括：上桥臂驱动电路和下桥臂驱动电路。

2.根据权利要求1所述的隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，其特征是，上桥臂驱动电路包括光电耦合隔离电路、推挽驱动电路、恒压降电路，所述的光电耦合隔离电路将控制信号IN_1H与驱动电路隔离，控制信号IN_1H串接电阻R_1H后与光电耦合器U_1H的发光二极管连接，光电耦合器U_1H输出串接上拉电阻R_3H后与驱动电源V_Driver相连，组成放大电路将控制信号IN_1H放大到驱动电源V_Driver的电平等级；所述的推挽驱动电路包括NPN三极管Q₁、PNP三极管Q₂，其基极各自连接有电阻R₄、R₅，其发射极直接相连串接电阻R_2H后与上臂MOSFET管S_1H门极相连；所述的恒压降电路，NPN三极管Q₁的集电极与PNP三极管Q₂的集电极之间连接一个无极性电容C₂和一个电解电容C₁，电解电容C₁的极性向NPN三极管Q₁的集电极一侧，且NPN三极管Q₁的集电极反向串接快速二极管D后与驱动电源V_Driver连接。

3.根据权利要求1所述的隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，其特征是，下桥臂MOSFET驱动电路由光电耦合电路组成，光电耦合电路将控制信号IN_1L与驱动电路隔离，控制信号串接电阻R_1L与光电耦合器U_1L的发光二极管连接，光电耦合器U_1L输出串接上拉电阻R_3L与驱动电源V_Driver相连，组成放大电路将控制信号IN_1L放大到驱动电源V_Driver的电平等级；光电耦合器U_1L的输出直接串接电阻R_2L与下臂MOSFET管S_1L门极相连。

4.根据权利要求1所述的隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，其特征是，驱动桥式变换器之前，先将所有桥式下臂MOSFET管导通，上臂驱动电路中的快速二极管D导通，对上臂驱动电路中的电解电容器C₁充电，驱动上臂MOSFET管时，NPN三极管Q₁导通，上臂MOSFET管栅极与源极的压差即是电解电容器的电压，上臂MOSFET管导通后，其源极电压跳变为桥式变换器的输入电压V_DC，NPN三极管Q₁的集电极电压跳变为输入电压V_DC与电解电容器电压之和，快速二极管关断，对驱动电源V_Driver不会产生影响，而上臂MOSFET管的栅极与源极的压差仍保持为电解电容器C₁的电压。

5.根据权利要求1所述的隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，其特征是，对于驱动电源V_Driver直接由功率电路的电源变换得到，或与控制电路隔离的电源，驱动两桥或三桥，驱动电源都只需要一路。