[实用新型]沉积腔

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术，尤其涉及一种沉积腔。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

自电离等离子体(self ionized plasma)是一种物理气相沉积方法，图1所示为采用自电离等离子体技术的沉积腔的剖视图，该沉积腔包括加热器(图1中未示)、台座110和座环120，所述台座110设置在所述加热器上，所述座环120与所述台座110相连。

如图2所示，所述台座110的边缘111呈台阶状，所述台座110的中央区112相对所述台座110的边缘111向上凸起，所述台座110的边缘111设有突起113。

如图3所示，所述座环120设有内环121和外环122，所述外环122环绕在所述内环121外，且与所述内环121呈台阶状连接，所述内环121相对所述外环122向上凸起，所述内环121内设有凹槽123；所述凹槽123与所述突起113相匹配，所述座环120与所述台座110相连时，所述台座110的突起113插在所述座环120的凹槽123内，用以防止所述座环120相对所述台座110滑动，如图1所示；所述台座110除其底端面外，其余表面以及所述台座110的突起113表面均涂有铝层，所述座环120采用陶瓷材料制成。

沉积薄膜时，所述台座110上施加强电压，晶圆(图1中未示)支撑在所述内环121上，由于所述座环120采用陶瓷材料制成，可防止所述晶圆与所述台座110电接触，但是，所述凹槽123的封闭端124非常薄，而且所述座环120每隔一段时间就要清洗一次，每清洗一次，就对所述凹槽123的封闭端124磨损一次，使所述凹槽123的封闭端124越来越薄，这容易导致施加在所述台座110上的强电压将所述凹槽123的封闭端124击穿，使所述晶圆与所述台座110电接触，从而损坏所述晶圆，实验表明，若所述凹槽123的封闭端124发生电击穿，会造成所述晶圆中90％的芯片报废。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种沉积腔，座环与台座之间采用接触片来防止两者相对滑动，可防止座环被电击穿，从而防止晶圆与台座电接触。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种沉积腔，包括台座、与所述台座相连的座环，其特征在于，所述台座设有至少一个凹口，所述座环设有至少一片接触片，所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内。

上述沉积腔，其中，所述台座包括中央区和边缘区，所述边缘区环绕在所述中央区外，且与所述中央区呈台阶状连接，所述凹口设置在所述边缘区的边沿处。

上述沉积腔，其中，所述凹口的数量为3～6个，多个所述凹口沿同一圆周均匀分布。

上述沉积腔，其中，所述凹口呈拱门状。

上述沉积腔，其中，所述座环包括内环和外环，所述外环环绕在所述内环外，且与所述内环呈台阶状连接，所述接触片设置在所述外环的内侧壁上。

上述沉积腔，其中，所述接触片的数量为3～6片，多片所述接触片沿同一圆周均匀分布。

上述沉积腔，其中，所述接触片呈拱门状。

本实用新型的沉积腔在所述台座上设凹口，在所述座环上设接触片，当所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内，所述座环与所述台座之间的这种接触方式不会对所述座环的厚度产生影响，施加在所述台座上的强电压很难击穿所述座环，从而能防止晶圆与所述台座电接触。

附图说明

本实用新型的沉积腔由以下的实施例及附图给出。

图1是现有技术的沉积腔的剖视图。

图2是现有技术中台座的剖视图。

图3是现有技术中座环的剖视图。

图4是本实用新型实施例的沉积腔的剖视图。

图5是本实用新型实施例的沉积腔的台座的俯视图。

图6是图5中的A-A剖视图。

图7是本实用新型实施例的沉积腔的座环的俯视图。

图8是图7中的B-B剖视图；

具体实施方式

以下将结合图4～图8对本实用新型的沉积腔作进一步的详细描述。

图4所示为本实用新型实施例的沉积腔的剖视图；

如图4所示，该沉积腔包括加热器(图4中未示)、台座210和座环220，所述台座210设置在所述加热器上，所述座环220与所述台座210相连；