[实用新型]多晶硅薄膜有效
| 申请号： | 201120134612.1 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN202058744U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李媛;吴兴坤;郝芳;杨晗琼 | 申请（专利权）人： | 杭州天裕光能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 胡龙祥 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.多晶硅薄膜，包括基板（1）和多晶硅薄膜层（3），其特征是:所述的基板（1）与多晶硅薄膜层（3）之间具有与二者复合在一起的硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层（2）。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的基板（1）为氧化锡或氧化锌的透明导电氧化物薄膜玻璃，或为不锈钢板。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的基板（1）的厚度为3-4mm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化钛纳米线包括纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇、火箭状纳米线中的至少一种形态。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述过渡层（2）的厚度为4-12nm。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化钛纳米线为TiSi晶相或TiSi2晶相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
