[实用新型]炉体移动式高纯晶体生长装置有效
申请号: | 201120147026.0 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN202072808U | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 李照存 | 申请(专利权)人: | 昆明沃特尔机电设备有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650031 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动式 高纯 晶体生长 装置 | ||
1.一种炉体移动式高纯晶体生长装置,包括机架(1)、安瓿(11)、炉体(12)和控制装置,其特征是:所述的机架(1)立柱上设置丝杠(3)和纵向导轨(5),所述的丝杠(3)同轴连接丝杠电机(2),所述的纵向导轨(5)与滑座(4)动配合,滑座(4)上设置炉体(12);所述的炉体(12)内设置炉芯(9),炉芯(9)内同轴连接炉膛(10);所述的炉体(12)下方的机座(8)之间设置安瓿控制装置(7),所述的安瓿控制装置(7)上设置驱动电机(15)和安瓿旋转轴(16),两者通过同步带(6)实现动力传动;所述的安瓿旋转轴(16)连接安瓿支杆(13),安瓿支杆(13)顶端设置安瓿(11),安瓿(11)同轴连接于炉膛(10)中轴线上;炉体(12)下端设置与安瓿支杆(13)动密封配合的炉体密封门。
2.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的炉芯(9)为设置2~3段可调恒温区和1~2段温度梯度区的多单元组合结构,各温度区的温度分别调节控制;所述的炉芯(9)的高温恒温区长度≥300mm,低温恒温区长度≥300mm。
3.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的炉膛(10)为氧化铝陶瓷管炉膛。
4.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的丝杠(3)为精密滚珠丝杠。
5.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的炉体(12)为圆筒型双层结构,外层可沿圆周滑动开启或闭合。
6.根据权利要求1或5所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的炉体(12)与滑座(4)铰接配合,炉体(12)和滑座(4)之间设置角度调节机构。
7.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的安瓿控制装置(7)设置有水平移动和旋转控制机构。
8.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的机架(1)立柱上设置1或2套炉体(12),对应炉体(12)设置1或2套安瓿控制装置(7),形成单炉体晶体生长装置或双炉体晶体生长装置。
9.根据权利要求1或8所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的机架(1)上设置支撑杆(14)。
10.根据权利要求1所述的炉体移动式高纯晶体生长装置,其特征是:所述的丝杠电机(2)、旋转电机(15)、炉芯(9)、炉体(12)与自动控制装置电性连接;所述的自动控制装置设置遥控盒。
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