[实用新型]一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源无效

专利信息
申请号: 201120147175.7 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN202075651U 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 周泽坤;黄智;朱培生;王永春;刘明亮;明鑫;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 曲率 补偿 基准 电压
【权利要求书】:

1.一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,包括启动电路、辅助基准电路与指数曲率补偿电路、对数曲率补偿电路和电流叠加电路,所述的辅助基准电路与指数曲率补偿电路的输入端分别与所述启动电路的输出端连接,所述辅助基准电路与指数曲率补偿电路的输出端分别与所述对数曲率补偿电路和所述电流叠加电路连接,所述对数曲率补偿电路的输出端与所述电流叠加电路连接,所述电流叠加电路的输出即为基准电压源。

2.根据权利要求1所述的高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述辅助基准电路与指数曲率补偿电路包括PMOS管MP6、MP7、MP8,电阻R2、R3、R4和NPN管Q4、Q5,其中,PMOS管MP7和MP6的源极与衬底都与外部的电源相连,MP7栅漏短接并与MP6的栅极相连形成电流镜;NPN管Q5与Q4的基极相连,Q5的集电极与MP7的漏极相连;Q4的集电极与MP6的漏端相连,Q4的发射极连接电阻R2后与Q5的发射极连接并通过电阻R3连接到地;PMOS管MP8的源极与衬底短接并连到电源电压,栅极与MP6的漏极相连,漏极通过电阻R4连接到地;PMOS管MP7和MP6的漏极分别为辅助基准电路与指数曲率补偿电路的两个输出端。

3.根据权利要求2所述的高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述对数曲率补偿电路包括PMOS管MP1、MP2、MP3,NMOS管MN1、MN2,NPN管Q1、Q2和电阻R1,其中,PMOS管MP1、MP2和MP3的源极与衬底分别连到外部的电源,MP1和MP2的栅极分别与所述辅助基准电路与指数曲率补偿电路的两个输出端即PMOS管MP6和MP7的漏极相连,NPN管Q1和Q2的基极连在一起,Q2的发射极接地,Q1的发射极经过电阻R1接地;PMOS管MP1的漏极接到Q1的集电极,MP2的漏极接到Q2的集电极;NMOS管MN1的栅极接到Q1的集电极,漏极接到外部的电源,源极接到Q1和Q2的基极,衬底接地;NMOS管MN2的栅极接Q2的集电极,源极接Q1的发射极,漏极接MP3的漏极,衬底接地;PMOS管MP3的栅极漏极短接,栅极即为对数曲率补偿电路的输出端。

4.根据权利要求2或3所述的高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述电流叠加电路包括电阻R5、R6,PMOS管MP4、MP5、MP9,其中MP4、MP5、MP9的源极与衬底接到外部的电源,栅极与所述对数曲率补偿电路的输出端相连接;PMOS管MP4的漏极与MP5的漏极相连,栅极与MP6的漏极相连,漏极经过电阻R6接地;PMOS管MP9的栅极与MP6的漏极相连,漏极经过电阻R5连到MP4和MP5的漏极,MP9的漏极电压即为电流叠加后转化成的电压,即所述基准电压源的输出电压。 

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