[实用新型]大功率晶闸管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及大功率晶闸管，具体地，涉及一种大功率晶闸管芯片，属半导体器件领域。

背景技术

晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

通常大功率晶闸管芯片铝反刻后，表面无任何保护，这就需要在后道封装工序中加一个与放大门极图形对应的金属缓冲片，从而会引起两个问题：一是金属缓冲片制作成本高，且需要想办法固定，不能让金属缓冲片在阴极面上滑移；二是如果有颗粒落在放大门极上可能会引起阴极和放大门极短路，造成晶闸管永久失效。

鉴于现有技术的上述缺陷，需要设计一种新型的大功率晶闸管芯片结构。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种新型的大功率晶闸管芯片，以克服现有技术的上述缺陷，该大功率晶闸管芯片能够实现放大门极表面有效的绝缘保护，从而具有可靠的产品性能。

上述目的通过如下技术方案实现：大功率晶闸管芯片，该大功率晶闸管芯片的放大门极表面上依次覆盖并固化两层有机绝缘膜，该两层有机绝缘膜分别为聚酰亚胺涂层和涂敷该聚酰亚胺涂层上的正性光刻胶涂层。

优选地，所述聚酰亚胺涂层的厚度为3-8微米。

优选地，所述正性光刻胶涂层的厚度为5-10微米。

本实用新型的大功率晶闸管芯片，其放大门极和阴极间的绝缘电压可达到1000V，简化了后封装工艺，提高了封装合格率。此外，本实用新型的晶闸管扩散成本低廉，便于大规模生产，生产效率高，光刻工艺操作简便，材料成本低，适于大批量生产。

附图说明

图1 为本实用新型具体实施方式的大功率晶闸管芯片的剖视结构示意图。

图中：1放大门极；2阴极；3阳极；4铝层；5聚酰亚胺涂层；6台面钝化保护膜；7正性光刻胶涂层。

具体实施方式

以下结合附图描述本实用新型大功率晶闸管的具体实施方式。

参见图1所示，本实用新型的大功率晶闸管与典型的晶闸管结构基本类似，该大功率晶闸管具有放大门极1、阴极2、阳极3、铝层4、台面钝化保护膜6等。

与现有技术不同的是，本实用新型的大功率晶闸管芯片的放大门极1表面上依次覆盖并固化有两层有机绝缘膜，该两层有机绝缘膜为聚酰亚胺涂层5和涂敷该聚酰亚胺涂层上的正性光刻胶涂层7。

优选地，所述聚酰亚胺涂层的厚度为3-8微米。

优选地，所述正性光刻胶涂层的厚度为5-10微米。

上述两层有机绝缘膜可以在氮气烘箱内固化，烘烤温度为250-280℃。

本实用新型的大功率晶闸管芯片可以通过如下方法制作：首先在芯片硅片的表面涂覆一层聚酰亚胺，然后再涂敷一层正性光刻胶，再通过光刻显影的方法刻出所需要的图形；达到保护放大门极和与阴极绝缘的目地。

本实用新型的大功率晶闸管芯片，其放大门极和阴极间的绝缘电压可达到1000V，简化了后封装工艺，提高了封装合格率。此外，本实用新型的晶闸管扩散成本低廉，便于大规模生产，生产效率高，光刻工艺操作简便，材料成本低，适于大批量生产。

在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，可以通过任何合适的方式进行任意组合，其同样落入本实用新型所公开的范围之内。同时，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。此外，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。本实用新型的保护范围由权利要求限定。