[实用新型]一种单晶硅片清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单晶硅片清洗装置。

背景技术

清洗硅片采用的清洗装置设有八个水槽，每个水槽中设有加热器，并通过加热器温控板控制水温。清洗时从第一槽至第八槽按顺序进行，通常情况下，为保证清洗效果，第三槽和第四槽中清洁液的温度需要设定在45～60℃，因第三槽和第四槽中的水加有清洗剂，需要保持不变状态，而由于清洗装置及其加热器是连续不断工作的，会导致第三槽和第四槽内的水温逐渐上升并超过60℃，导致硅片表面氧化，形成废品。如果此时通过加热器温控板将加热器关闭，停止加温，加热器温控板就不能显示第三槽和第四槽内水的温度，使操作人员不能很好掌握，从而影响硅片的正常清洗。

发明内容

本实用新型的目的是提供能使第三槽和第四槽内水温保持在正常工作范围内的一种单晶硅片清洗装置。

本实用新型采取的技术方案是：一种单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，其特征在于在第三水槽和第四水槽中分别设有冷水循环管，在第三水槽和第四水槽的一侧分别设有贮水槽，且冷水循环管与贮水槽相连接。

采用本实用新型，因贮水槽内备有冷水，通过冷水在冷水循环管内的流动，降低第三水槽和第四水槽内的水温，这样可以不关闭加热器，加热器温控板就能正常显示第三水槽和第四水槽内水的温度，使水温保持在设定的温度范围内，确保硅片不被氧化。

附图说明

图1是本实用新型的示意图。

图中序号表示：第一水槽1、第二水槽2、第三水槽3、第四水槽4、第五水槽5、第六水槽6、第七水槽7、第八水槽8、加热器9、加热器温控板10、贮水槽11和冷水循环管12。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本实用新型作进一步说明。

参照图1，该单晶硅片清洗装置包括第一水槽1、第二水槽2、第三水槽3、第四水槽4、第五水槽5、第六水槽6、第七水槽7、第八水槽8，在每个水槽内设有加热器9，每个加热器9与加热器温控板10单独连接，在第三水槽3和第四水槽4中分别设有冷水循环管12(最好为U型)，冷水循环管12与贮水槽11相连接。因贮水槽11内备有冷水，通过冷水在冷水循环管12内的流动，降低第三水槽3和第四水槽4内的水温，这样可以不关闭加热器9，加热器温控板10就能正常显示第三水槽3和第四水槽4内水的温度，使水温保持在设定的温度范围内，确保硅片不被氧化。