[实用新型]一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片无效

专利信息
申请号: 201120154951.6 申请日: 2011-05-16
公开(公告)号: CN202078457U 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 王凯;黎晓新 申请(专利权)人: 北京大学人民医院
主分类号: A61F9/08 分类号: A61F9/08
代理公司: 北京中建联合知识产权代理事务所 11004 代理人: 朱丽岩;刘湘舟
地址: 100044 北京市西城区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 人工 视觉 领域 视网膜 微电极 阵列 芯片
【权利要求书】:

1.一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,包括芯片基底(13)和突出于芯片基底表面且形成阵列的微电极,其特征在于:所述芯片基底(13)的下端边缘开有至少两个下缝线预留孔(8、9、10),芯片基底(13)自下而上顺序排布有微电极排布下区(1)、微电极排布中区(2)、微电极排布上区(3)、基底缩窄区(5)和基底展宽区(4),所述芯片基底(13)在邻近基底缩窄区(5)下端分别开有至少三组两个巩膜切口缝线预留孔(16),下端的两边缘分别开有至少两个上缝线预留孔(6、7),所述基底展宽区(4)的两边开有眼外缝线预留孔(11、12),所述基底展宽区(4)排布有与电极排布区(1、2、3)对应的触点(15),用于引出导线,芯片基底(13)内埋布有连接触点(15)和微电极(14)的导线。

2.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述芯片基底(13)是聚酰亚胺或聚对二甲苯材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述微电极(14)、触点(15)和芯片基底中导线的材料是金属铂或者铂合金。

4.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述微电极排布中区(2)为正方形、微电极排布上区(3)和微电极排布下区(1)为长方形。

5.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述基底展宽区(4)与基底缩窄区(5)之间为平滑连接线。

6.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述下缝线预留孔(8、9、10)、上缝线预留孔(6、7)、眼外缝线预留孔(11、12)以及巩膜切口缝线预留孔(16)的孔径是0.2~0.4mm。

7.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述芯片基底(13)的宽度是6~8mm,微电极排布中区(2)的宽度是4mm~7mm,芯片基底(13)的总长度是49mm~88mm,所述基底展宽区(4)与基底缩窄区(5)的总长度在4mm~12mm之间。

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