[实用新型]多晶硅铸锭炉调功电源控制器

权利要求书

1.多晶硅铸锭炉调功电源控制器，包括第一电流互感器(1)、第二电流互感器(2)、第三电流互感器(3)、第一电流电压变换电路(4)、第二电流电压变换电路(5)、第三电流电压变换电路(6)、键盘电路(7)、电源电路(8)、控制信号输入电路(9)、微处理器(10)、第一驱动电路(11)、第二驱动电路(12)、第三驱动电路(13)、第一可控硅组(14)、第二可控硅组(15)、第三可控硅组(16)、温度测量电路(17)、显示电路(18)和报警电路(19)组成；其特征在于：第一电流互感器(1)、第二电流互感器(2)、第三电流互感器(3)的一次端分别穿到对应相被测回路中，第一电流互感器(1)、第二电流互感器(2)、第三电流互感器(3)的二次端分别与第一电流电压变换电路(4)、第二电流电压变换电路(5)、第三电流电压变换电路(6)的输入端连接；第一电流电压变换电路(4)、第二电流电压变换电路(5)、第三电流电压变换电路(6)的输出端分别与微处理器(10)的A/D口连接；第一驱动电路(11)、第二驱动电路(12)、第三驱动电路(13)的输入端分别与微处理器(10)的三个I/O口连接。第一驱动电路(11)、第二驱动电路(12)、第三驱动电路(13)的输处端分别与第一可控硅组(14)、第二可控硅组(15)、第三可控硅组(16)的输入端连接；第一可控硅组(14)、第二可控硅组(15)、第三可控硅组(16)的输出端分别与外接负载的输入端连接；键盘电路(7)、控制信号输入电路(9)、显示电路(18)和报警电路(19)分别与微处理器(10)的I/O口连接；温度测量电路(17)与微处理器(10)的A/D口连接；电源电路(8)与微处理器(10)的电源端连接。

2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭炉调功电源控制器，其特征在于：所述的第一电流互感器(1)、第二电流互感器(2)、第三电流互感器(3)采用穿心式电流互感器，变比根据被测电流不同选择不同变比，分别为25A/0.1A、50A/0.1A、75A/0.1A、100A/0.1A、150A/0.1A、200A/0.1A、300A/0.1A。

3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭炉调功电源控制器，其特征在于：所述的第一电流电压变换电路(4)、第二电流电压变换电路(5)、第三电流电压变换电路(6)分别由10欧姆2W电路将电流信号转换成交流电压信号，再通过肖特基二极管整流、电容滤波后获得直流电压信号送给微处理器(10)处理。

4.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭炉调功电源控制器，其特征在于：所述的第一驱动电路(11)、第二驱动电路(12)、第三驱动电路(13)由光耦作为驱动，光耦选用MOC3052。

5.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭炉调功电源控制器，其特征在于：所述的第一可控硅组(14)、第二可控硅组(15)、第三可控硅组(16)选用反并联可控硅或MTC系列可控硅模块。