[实用新型]一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器无效
| 申请号： | 201120162340.6 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN202049984U | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 付姚;邢明铭;罗昔贤;张映辉;彭勇 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李洪福 |
| 地址： | 116026 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 同轴电缆 异质结 阵列 紫外 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器，包括基底(1)、导电薄膜(2)，所述的导电薄膜(2)位于基底(1)上；所述的基底(1)是玻璃基底(1)、金属基底(1)或硅基底(1)，其特征在于：所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的NiOTiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5)，所述的NiOTiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)；所述的NiOTiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)为TiO2纳米管(301)阵列和填充于TiO2纳米管(301)内的NiO纳米线(302)构成，所述的TiO2纳米管(301)阵列由生长方向垂直于导电薄膜(2)的TiO2纳米管(301)平行排列构成，所述的每一根TiO2纳米管(301)内均生长有一根NiO纳米线(302)。
2.根据权利要求1所述的一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器，其特征在于：所述的导电薄膜(2)为氧化铟锡ITO导电薄膜(2)或掺氟SnO2FTO导电薄膜(2)。
3.根据权利要求1所述的一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器，其特征在于：所述的P型欧姆电极(4)和N型欧姆电极(5)为点状结构或环形结构或曲线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
