[实用新型]单相三倍频发生装置及高频发生装置有效
申请号: | 201120168042.8 | 申请日: | 2011-05-24 |
公开(公告)号: | CN202145620U | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 外村彻;藤本泰广 | 申请(专利权)人: | 特电株式会社 |
主分类号: | H02M5/10 | 分类号: | H02M5/10;H01F27/28;H01F27/24 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单相 倍频 发生 装置 高频 | ||
1.一种单相三倍频发生装置,其特征在于,使用三相变压器将工业电源的频率倍增到3倍后输出,
所述三相变压器的一次线圈为Y连接,二次线圈为Δ连接,并且使Δ连接的所述二次线圈的一端开放并将该一端连接到单相负载上,
所述三相变压器使用环形五柱卷铁心,该五柱卷铁心是通过连续卷绕薄板状的电磁钢板形成的,所述五柱卷铁心的三个柱上卷绕有一次线圈及二次线圈,剩下的两个柱成为三次谐波磁通的回路。
2.根据权利要求1所述的单相三倍频发生装置,其特征在于,所述五柱卷铁心是通过组合开口尺寸不同的环形铁心单元构成的,所述五柱卷铁心包括:一个外铁心单元;两个中铁心单元,在所述外铁心单元内相互接触设置;以及四个小铁心单元,该四个小铁心单元中的两个小铁心单元在所述中铁心单元内相互接触设置。
3.根据权利要求1所述的单相三倍频发生装置,其特征在于,构成所述三次谐波磁通的回路的每个柱的截面积为卷绕有所述一次线圈及所述二次线圈的每个柱的截面积的二分之一。
4.根据权利要求1所述的单相三倍频发生装置,其特征在于,
所述五柱卷铁心的五个柱在主视图中沿左右排列,
中央的柱及左右两端的柱上卷绕有所述一次线圈及所述二次线圈,
与所述中央的柱的两侧相邻的柱构成所述三次谐波磁通的回路。
5.一种单相三倍频发生装置,其特征在于,使用三相可饱和电抗器将工业电源的频率倍增到3倍后输出,
在将所述三相可饱和电抗器的线圈以Y连接方式连接构成的中性点与三相电源的中性点之间,连接单相负载,
所述三相可饱和电抗器使用环形五柱卷铁心,该五柱卷铁心是通过连续卷绕薄板状的电磁钢板形成的,所述五柱卷铁心的三个柱上卷绕有所述线圈,剩下的两个柱构成三次谐波磁通的回路。
6.一种三相三倍频发生装置,其特征在于,使用三组权利要求1~5中任一项所述的单相三倍频发生装置,
一组的三相变压器的一次线圈或可饱和电抗器的线圈为Y连接,另一组的三相变压器的一次线圈或可饱和电抗器的线圈为采用了相位滞后或相位超前绕组以使该另一组的三相变压器的一次线圈或可饱和电抗器的线圈的输出在输入频率坐标上相位滞后或相位超前40°的Y连接,剩下的一组的三相变压器的一次线圈或可饱和电抗器的线圈为采用了相位滞后或相位超前绕组以使该剩下的一组的三相变压器的一次线圈或可饱和电抗器的线圈的输出在输入频率坐标上相位滞后或相位超前80°的Y连接。
7.一种单相3N倍频率发生装置,其特征在于,该单相3N倍频率发生装置通过以多级的方式级联连接权利要求1~5中任一项所述的单相三倍频发生装置,输出单相的3N倍频率,其中,N为自然数。
8.一种三相3N倍频率发生装置,其特征在于,该三相3N倍频率发生装置通过以多级的方式级联连接权利要求6所述的三相三倍频发生装置,输出三相的3N倍频率,其中,N为自然数。
9.一种高频发生装置,其特征在于,使用n台三相变压器产生频率是电源频率3n倍的单相电压,
所述三相变压器使用环形五柱卷铁心,该五柱卷铁心是通过连续卷绕薄板状的电磁钢板形成的,所述五柱卷铁心的三个柱上卷绕有一次线圈及二次线圈,剩下的两个柱构成单相高频磁通磁路,其中,n为1以上的奇数。
10.根据权利要求9所述的高频发生装置,其特征在于,构成所述单相高频磁通磁路的每个柱的截面积为卷绕有所述一次线圈及所述二次线圈的每个柱的截面积的二分之一。
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