[实用新型]用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构

权利要求书

1.一种用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：包括运算放大器(8)，所述运算放大器(8)的输出端与第五MOS管(M5)的栅极端相连，第五MOS管(M5)的源极端与运算放大器(8)的反相端相连后通过第四电阻(R4)接地；第五MOS管(M5)的漏极端与第一MOS管(M1)的漏极端、第一MOS管(M1)的栅极端及第二MOS管(M2)的栅极端相连，第二MOS管(M2)的栅极端与第一MOS管(M1)的栅极端相连，第二MOS管(M2)的源极端与第一MOS管(M1)的源极端、第一三极管(Q1)的集电极相连；第二MOS管(M2)的漏极端分别与第一三极管(Q1)的基极、第二三极管(Q2)的基极及第五电阻(R5)相连，第五电阻(R5)对应于与第二MOS管(M2)相连的另一端接地；第一三极管(Q1)的发射极通过第六电阻(R6)接地；第二三极管(Q2)的发射极通过第一电阻(R1)接地；第二三极管(Q2)的集电极分别与第三MOS管(M3)的漏极端、第三MOS管(M3)的栅极端及第四MOS管(M4)的栅极端相连，第三MOS管(M3)的栅极端与第四MOS管(M4)的栅极端相连，第三MOS管(M3)的源极端与第二MOS管(M2)的源极端相连，并分别与第四MOS管(M4)及第六MOS管(M6)的源极端相连；第四MOS管(M4)的漏极端通过第二电阻(R2)接地，第六MOS管(M6)的漏极端通过第三电阻(R3)接地，第六MOS管(M6)的栅极端与第四MOS管(M4)的栅极端相连。

2.根据权利要求1所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述运算放大器(8)的同相端为参考电压VREF的输入端。

3.根据权利要求1所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M2)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)及第六MOS管(M6)均为P型MOS管。

4.根据权利要求1所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述第一MOS管(M1)与第二MOS管(M2)形成第一镜像源(9)；第一MOS管(M1)与第二MOS管(M2)导电沟道的宽长比相同。

5.根据权利要求1所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)及第六MOS管(M6)形成第二镜像源(10)；第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)及第六MOS管(M6)导电沟道的宽长比为1∶K2∶K4。

6.根据权利要求1所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)及第六电阻(R6)为相同温度系数的电阻。

7.根据权利要求6所述用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构，其特征是：所述第二电阻(R2)与第三电阻(R3)的阻值相同。