[实用新型]发光装置

说明书

本申请是申请日为2010年11月5日、申请号为201020598384.9、题为“气相沉积系统和发光装置”的专利申请的分案申请。

本申请要求于2010年2月12日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0013545号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的公开包含于此。

技术领域

本实用新型涉及一种气相沉积系统和一种发光装置。

背景技术

通常，发光二极管(LED)是这样一种半导体发光装置，即，当向该半导体发光装置施加电流时，该半导体发光装置通过电子和空穴在p型半导体和n型半导体之间的p-n结中复合来发射各种颜色的光。因为该LED具有各种优点，例如长寿命、低功耗、良好的初始驱动性能、高抗振性等，所以当与基于灯丝的发光装置相比时，对LED的需求持续增加。具体地说，近来，能够发射短波区域中(例如，一系列蓝色)的光的III族氮化物半导体备受关注。

使用III族氮化物半导体形成发光装置的氮化物半导体单晶在蓝宝石基底或SiC基底上生长。为了生长该半导体单晶，通常执行将多种气体源沉积到基底上的气相沉积工艺。半导体发光装置的发射性能或可靠性显著地受到形成半导体发光装置的半导体层的质量(结晶性)的影响。在这种情况下，半导体层的质量会依赖于所使用的气相沉积系统的结构、其内部环境及其使用的条件。因此，在相关的技术领域中，需要一种通过使气相沉积工艺最优化来提高半导体层的质量的方法。

实用新型内容

本实用新型的一方面提供了一种使用气相沉积系统来制造发光装置的方法，所述方法通过形成具有优异的结晶结构的半导体层，使得所制造的发光装置的发光效率提高。

本实用新型的一方面还提供了一种用于提高气相沉积系统的操作能力和产率的技术。

根据本实用新型的一方面，提供了一种气相沉积系统，所述气相沉积系统包括：第一室，具有第一基座和至少一个第一气体分配器，所述至少第一一个气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种气相沉积系统，所述气相沉积系统包括：第一室，具有第一基座和至少一个第一气体分配器，在所述第一室中，含有III族元素的卤化物化合物气体和V族元素源气体通过第一气体分配器在布置在所述第一基座上的基底上反应，由此在所述基底上形成半导体薄膜；第二室，包括第二基座和至少一个第二气体分配器，在所述第二室中，至少两种类型的有机金属气体通过第二气体分配器在布置在所述第二基座上的基底上反应，由此在所述基底上形成半导体薄膜。

所述气相沉积系统还可以包括负载锁装置，所述负载锁装置连接到所述第一室和所述第二室，并具有搬运机器人和搬运路径。

可以在单个气相沉积系统中提供所述第一室和所述第二室。

可以在不同的气相沉积系统中提供所述第一室和所述第二室。

所述第一室和所述第二室中的至少一个可以为批量式室。

第一气体分配器可以沿从所述第一室的内部向所述第一室的外部的方向排放气体。

第一气体分配器可以布置在所述第一室内部的中心区域中。

多个基底可以布置在所述第一基座上，所述多个基底可以被布置为围绕第一气体分配器的圆周。

所述第一室可以为HVPE(氢化物气相外延)室，所述第二室可以为MOCVD(金属有机化学气相沉积)室。

所述气相沉积系统还可以包括除了所述第一室和所述第二室之外的分子束外延(MBE)室。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种发光装置，所述发光装置包括具有第一导电半导体、有源层和第二导电层的发光结构，其中，当在第一工艺中从基底上方排放的源气体在半导体生长基底上反应时，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，在第二工艺中沿与所述基底平行的方向排放的源气体在所述基底上反应，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，所述发光结构使用所述第一工艺和所述第二工艺来形成。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种发光装置，所述发光装置包括具有第一导电半导体、有源层和第二导电层的发光结构，其中，在第一工艺中含有III族元素的卤化物化合物气体与V族元素源气体在基底上反应，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，在第二工艺中至少两种类型的有机金属气体在所述基底上反应，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，所述发光结构使用所述第一工艺和所述第二工艺来形成。