[实用新型]一种液晶显示器的阵列基板、及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种液晶显示器的阵列基板、及液晶显示器。

背景技术

近年来，随着科学技术的进步，数字化电视开始走进日常生活中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Firm Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)以其体积小，功耗低，无辐射，分辨率高等优点成为了目前的主导产品。

TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其中，阵列基板上形成有矩阵式排列的薄膜晶体管和像素电极，每个像素电极由对应的薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开的时间内充电，充电结束后，像素电极电压保持，直至下次扫描时重新充电。由于液晶电容不大，仅仅依靠液晶电容不能维持像素电极的电压，因此，需一个存储电容来保持像素电极的电压。通常存储电容主要类型包括：存储电容在栅极线上，或，存储电容在公共电极线上。

在TFT-LCD工作的时候由于源电极和栅极之间、漏电极和栅极之间存在寄生电容，因此像素电极充电结束后会出现一个跳变电压Δvp，该跳变电压为：

Δvp＝(Vgh-Vgl)Cgs/(Cgs+Clc+Cst)    (1)

其中，Vgh为栅电极的开启电压，Vgl为栅电极的关断电压，Cgs为寄生电容，Clc为液晶电容，Cst为存储电容。

当跳变电压Δvp较大时，会导致正负电极的电压差不一致，导致显示画面出现闪烁(Flicker)和残像发生，严重影响画面质量。因此，跳变电压Δvp越小画面质量越好。

由公式(1)可知，存储电容Cst越大跳变电压Δvp越小。即增大存储电容Cst是减小跳变电压Δvp的有效途径。

参见图1，目前TFT-LCD阵列基板包括：薄膜晶体管和像素电极。这里，薄膜晶体管的公共电极为∏型结构。当然，公共电极还可以包括其他的结构，例如：H型结构或M型结构。

当存储电容在阵列基板的栅极线上时，栅极线的面积固定，存储电容面积较小，因此，在栅极线上的存储电容比较小。当存储电容在公共电极线上时，由于公共电极一般∏型或H型结构，为了不影响液晶显示器的开口率，公共电极线的宽度受到了严格的限制，因此，在公共电极线上的存储电容也比较小。

可见，现有的TFT-LCD阵列基板的跳变电压Δvp还比较大，易导致显示画面出现闪烁(Flicker)和残像发生，从而，严重影响画面质量。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种液晶显示器的阵列基板，及液晶显示器，用以提高液晶显示器的画面质量。

本实用新型实施例提供一种液晶显示器阵列基板，包括：薄膜晶体管10以及像素电极9，其中，

所述薄膜晶体管10的公共电极21的一端与所述薄膜晶体管10的漏电极6重叠放置。

本实用新型实施例中，阵列基板包括：薄膜晶体管和像素电极，其中，薄膜晶体管的公共电极的一端与该薄膜晶体管的漏电极重叠放置。即将公共电极的一端进行延伸至漏电极的上方或下方，使公共电极的一端与漏电极重叠放置。由于漏电极像素(Pixel)区域不透光，这样，不仅增加了存储电容的面积，并且也不影响透光，从而，在不降低开口率的情况下增大了存储电容，可以有效减小跳变电压Δvp。减小了Flicker和残像的发生率，提高了画面质量。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的示意图；

图2为本实用新型实施例中阵列基板的示意图；

图3为本实用新型具体实施例中阵列基板制作流程图；

图4(a)为本实用新型具体实施例中形成栅电极和公共电极后的基板的示意图；

图4(b)为本实用新型具体实施例中图4(a)B-B方向的截面图；

图5(a)为本实用新型具体实施例中形成栅极绝缘层2以及有源层3的基板的示意图；

图5(b)为本实用新型具体实施例中图5(a)C-C方向的截面图；

图6(a)为本实用新型具体实施例中形成数据线4、源电极5和漏电极6的基板的示意图；

图6(b)为本实用新型具体实施例中图6(a)D-D方向的截面图；

图7(a)为本实用新型具体实施例中形成钝化层7的基板的示意图；

图7(b)为本实用新型具体实施例中图7(a)E-E方向的截面图；

图8(a)为本实用新型具体实施例中形成像素电极9的基板的示意图；

图8(b)为本实用新型具体实施例中图8(a)F-F方向的截面图。

具体实施方式