[实用新型]大功率稳压管

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造工艺领域，尤其涉及一种大功率稳压管。 

背景技术

稳压二极管，又叫齐纳二极管，是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。如图1所示，图1为现有技术中稳压管的结构示意图，即在半导体衬底10表面形成一有源区11，在有源区11和衬底10的交界面形成PN结。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。稳压二极管的特点就是直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻，而被击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。稳压管反向击穿后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。

目前市场上的高端稳压管主要由国外几家大公司垄断：Rohm，Onsemi，NXP，ST等，国内稳压管普遍存在额定功率太低的问题，这是因为反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高，稳压管在较大功率的条件下工作时，发热强烈会导致稳压管寿命严重降低，影响设备的正常工作。 

发明内容

本实用新型提出一种大功率稳压管，以解决现有技术中存在的稳压管功率普遍偏低的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种大功率稳压管，包括衬底和通过在所述衬底表面掺杂所形成的第一有源区，所述大功率稳压管还包括第二有源区，所述第二有源区为通过在所述衬底的另一表面掺杂而形成。

可选的，所述衬底为N型衬底，所述第一有源区为P型有源区，所述第二有源区为P型有源区。

可选的，所述第一有源区的掺杂深度为30微米。

可选的，所述第二有源区的掺杂深度为5微米。

可选的，所述衬底为P型衬底，所述第一有源区为N型有源区，所述第二有源区为N型有源区。

可选的，所述第一有源区的掺杂深度为30微米。

可选的，所述第二有源区的掺杂深度为5微米。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：本实用新型大功率稳压管通过在衬底的下表面多形成一个有源区，提高了衬底的掺杂浓度，降低了导通电阻，增加了稳压管的功率；衬底的掺杂浓度的提高，同时也降低了制作欧姆接触的难度。 

附图说明

图1为现有技术中稳压管的结构示意图。

图2为本实用新型大功率稳压管的结构示意图。 

具体实施方式

下面，结合附图对本实用新型大功率稳压管的具体实施方式做进一步的阐述。

请参考图2，图2为本实用新型大功率稳压管的结构示意图，本实用新型大功率稳压管的第一实施例如下：

一种大功率稳压管，包括N型衬底20和通过在N型衬底20表面掺杂所形成的第一P型有源区21，所述大功率稳压管还包括第二P型有源区22，所述第二P型有源区22为通过在所述N型衬底20的另一表面掺杂而形成。其中所述第一P型有源区21的掺杂深度为30微米，第二P型有源区22的掺杂深度小于第一P型有源区21的掺杂深度，优选的，第二P型有源区22的掺杂深度为5微米。该工艺通过在N型衬底20的下表面多形成一个有源区（即第二P型有源区22），提高了N型衬底20的掺杂浓度，降低了导通电阻，增加了稳压管的功率；衬底的掺杂浓度的提高，同时也降低了制作欧姆接触的难度。

下面，对上述两种技术效果分别作详细阐述。

一．稳压管功率P=U²/R，其中U为稳压管两端的电压，R为稳压管的电阻，对于稳压管来说，正常工作时，稳压管两端电压基本不变，则稳压管的电阻越小，稳压管可承受的功率越大。通过在N型衬底20的下表面多形成一个有源区，提高了N型衬底20的掺杂浓度，即降低了导通电阻，从而增加了稳压管的功率。