[实用新型]超小型化无源抗金属射频识别标签

权利要求书

1.一种超小型化无源抗金属射频识别标签，所述标签包括：

标签基体、设置于所述标签基体上的标签芯片、辐射面层及接地层；

所述辐射面层和接地层分别固定于所述标签基体的上表面和下表面；其特征在于：还包括设置于所述标签基体上的电容匹配元件；

其中，所述辐射面层的一端与所述接地层的一端通过一接口电连接，所述标签芯片的两端分别串接于所述接地层的和所述辐射面层的另一端；所述电容匹配元件并联于所述标签芯片的两端。

2.根据权利要求1所述的标签，其特征在于：所述标签基体为一长方体；所述接口包括第一通孔单元和第二通孔单元，并分别设置于所述标签基体的两端；所述第一通孔单元包括至少一个第一连接通孔和位于所述第一连接通孔中的第一连接柱，所述第二通孔单元包括至少一个第二连接通孔和位于所述第而连接通孔中的第二连接柱，所述第一连接柱和第二连接柱将所述辐射面层和所述接地层电连接。

3.根据权利要求2所述的标签，其特征在于：所述第一通孔单元和第二通孔单元对称设置于所述标签基体的两端。

4.根据权利要求2所述的标签，其特征在于：所述第一通孔单元和第二通孔单元的通孔数分别为6个。

5.根据权利要求1所述的标签，其特征在于：所述电容匹配元件数值范围为4.5pF-7.5pF。

6.根据权利要求5所述的标签，其特征在于：所述电容匹配元件的电容值5.5pF、6.0pF或7.0pF。

7.根据权利要求1所述的标签，其特征在于：所述标签基体长度范围为5-15mm，宽度范围为1-5mm，高度范围为1-3mm。

8.根据权利要求7所述的标签，其特征在于：所述标签基体的尺寸为12mm×3mm×1.5mm。

9.根据权利要求1至8任一所述的标签，其特征在于：所述电容匹配元件与标签芯片均位于所述辐射面层的平面上。

10.根据权利要求1至8任一所述的标签，其特征在于：所述电容匹配元件与标签芯片均位于所述标签基体的侧部。