[实用新型]抗噪声积层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种积层陶瓷电容器，尤指一种可降低噪声(Acoustic emission or Noise)问题的抗噪声积层陶瓷电容器。

背景技术

随着电子产品的微型化，积层陶瓷电容器也朝着小型化与功能化发展。电容值的计算公式为：C＝ε(A/d)，其中C为电容值、ε为介电常数、A为有效反应电极面积及d为电极间距(介电层厚度)。为达到高容值化目的，积层陶瓷电容的介电层厚度d必须薄层化，同时组件的堆叠层数持续增加，为积层陶瓷电容器结构的基本发展方向。

一般高电容量的积层陶瓷电容器的介电材料是利用铁电性(Ferroelectric)材质组成，在外加电场后，会造成陶瓷体有结构上的扭曲，此一现象为压电效应(Piezoelectric Effect)所造成的电致伸缩效应(Electrostrictive Effect)。若一外加交流电场所产生的频率是介于音频范围(ca.20Hz～20KHz)，便会与其共振而产生噪音(Acoustic emission or Noise)。又当此陶瓷电容器黏着于电路板(Printed CircuitBoard，PCB)后，其所产生的机械能便会藉由焊点传递到电路板上，此时PCB便如同一扬声器产生扩大效果而发出嗡嗡声的噪音，有时震动过于剧烈时还会产生组件内部结构破损裂痕。

如中国台湾专利公告第I325597号“积层电容器”一案中所述，采用缩减有效反应电极面积的方式，藉由改变电容器内部电极的布局设计，如图12所示，缩小上下层的内电极重叠面积(即有效层)，或调整内电极的位置，可抑制因有效电极重叠面积过于集中时所产生的电致伸缩效应，进而减少电容元件产生噪声。

前述专利案虽然具有降低噪声的效果，但就整体结构来讲，该陶瓷电容器仅具有单一个共振腔，其降低噪声的幅度仍不够明显(仅能降低至约25dB)，且会因为内电极上下层面积缩减而造成整体电容值偏低，在制造过程中需耗费较多程序调整电极堆叠方式。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种抗噪声积层陶瓷电容器，具有较佳的降低噪声的效果。

本实用新型的技术解决方案是：

一种抗噪声积层陶瓷电容器，其中，该电容器包含有：一积层本体，其两侧分别设有一第一端电极及一第二端电极，所述第一端电极及第二端电极具有不同极性；多层第一内电极及多层第二内电极，形成于该积层本体内部，且各所述第一内电极及各所述第二内电极对应电接触所述第一端电极及一第二端电极；其中，多层所述第一内电极及多层所述第二内电极堆叠构成多个共振腔，相邻所述共振腔之间以具有相同极性的所述第一内电极或第二内电极区隔分开。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，各所述共振腔，其第一内电极及第二内电极具有不同的堆叠耦合的层数。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，于该积层本体靠近其上层表面及下层表面的内部重复堆叠有同极性的所述第一内电极或第二内电极。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，该积层本体内部最上层及最下层的所述第一内电极或第二内电极其端部与相异极性的所述端电极之间的距离为o；该积层本体最上层及最下层的第一内电极或第二内电极其相对所述积层本体上、下表面的距离为n，其中o＞n。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，各所述第一内电极或第二内电极与相异极性的第二端电极或第一端电极在同一平面上的最短距离为p，相邻的所述第一内电极与第二内电极之间的距离为q，其中p＞q。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，各所述共振腔的第一内电极及第二内电极具有大小相等的耦合区域，且各所述共振腔的耦合区域的位置相互对应。

上述的抗噪声积层陶瓷电容器，其中，各所述共振腔的第一内电极及第二内电极具有大小不同的耦合区域，且各所述共振腔的耦合区域为上下不对应的设置结构。

藉由前述结构，本实用新型的抗噪声积层陶瓷电容器将相互堆叠的第一内电极及第二内电极区隔成为多个共振腔后，能够达到更佳的降低噪声的效果，减弱噪声问题。更进一步的，本实用新型再提高共振腔数量、缩小共振腔彼此之间的间距、或是令共振腔之间具有非对应的耦合区域时，将能够更进一步有效降低噪声。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的层状结构示意图；

图2为本实用新型第二实施例的层状结构示意图；

图3为本实用新型第三实施例的层状结构示意图；

图4为本实用新型第四实施例的层状结构示意图；