[实用新型]一种低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器无效

专利信息
申请号: 201120191792.7 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN202084469U 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 王俊;孟斌;将川良 申请(专利权)人: 江苏迪康电气有限公司
主分类号: H01H33/66 分类号: H01H33/66;H01H33/666
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 贺翔
地址: 214251 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 击穿 概率 高容性 电流 能力 真空 开断器
【权利要求书】:

1.一种低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其包括由上段绝缘外壳(101)和下段绝缘外壳(102)组成的壳体(1),在壳体内安装金属屏蔽筒(2),在壳体(1)的上、下两端分别安装有上端盖(3)和下端盖(5),在上端盖(3)上设有向下延伸至金属屏蔽筒(2)内的静触头(4);在下端盖(5)的中心孔中安装有导向套(6),在导向套(6)内装有可以沿轴向运动的并与静触头(4)适配的动触头(8),其特征在于所述动触头(8)端部为凸半球体(9),静触头(4)端部为与之对应的凹半球体(10)。

2.根据权利要求1所述的低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其特征在于所述凸半球体(9)由一组动触头导磁组件(901、902)及一组动触头导电组件(903、904)间隔设置组成,每部分的截面形状和面积相同,相应的凹半球体(10)由同样数量的一组静触头导磁组件(1001、1002)和静触头导电组件(1003、1004)间隔设置组成,每部分的截面形状和面积也相同,且静触头导磁组件位置与动触头导电组件位置对应,而静触头导电组件位置与动触头导磁组件位置对应。

3.根据权利要求2所述的低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其特征在于凸半球体(9)由两块动触头导磁组件(901、902)及两块动触头导电组件(903、904)间隔设置组成;凹半球体(10)两块静触头导磁组件(1001、1002)和两块静触头导电组件(1003、1004)间隔设置组成。

4.根据权利要求3所述的低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其特征在于凸半球体(9)和凹半球体(10)上的导磁组件和导电组件截面形状为卍字形状。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其特征在于在壳体(1)内沿动触头(8)外设有波纹管(7),波纹管(7)一端固定在下端盖(5)内侧,一端固定在动触头(8)外壁面。

6.根据权利要求1至4中任何一项所述的低重击穿概率及高容性电流开断能力的真空开断器,其特征在于上、下段绝缘外壳(101、102)为光面或者波浪面的陶瓷外壳,或者为光面或者波浪面的玻璃外壳。

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