[实用新型]单晶炉腔体排气系统

权利要求书

1.一种单晶炉腔体排气系统，用于生长单晶硅，其包括单晶炉腔体、保温盖、导流筒、放置硅料的石英坩埚、设于石英坩埚外侧以导热的三瓣坩埚、用于加热三瓣坩埚的加热器、保温筒、石墨托杆以及炉底盘，所述单晶炉腔体设有炉膛排气口，其特征在于：所述保温筒包括内保温筒、外保温筒以及位于内保温筒与外保温筒之间的夹层空间，所述内保温筒设有靠近保温盖的若干通气孔。

2.根据权利要求1所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述外保温筒设有与炉膛排气口位置对应的下排气口，所述下排气口大于炉膛排气口，所述气体直接从下排气口流向炉膛排气口而排出。

3.根据权利要求1所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述通气孔包括12个且沿炉膛轴线一圈均等分开。

4.根据权利要求1所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述加热器设有靠近导流筒的上口，所述通气孔位于保温盖与上口之间。

5.根据权利要求4所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述通气孔的圆心与上口之间的距离为50mm。

6.根据权利要求1所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述通气孔的直径为30mm。

7.根据权利要求1所述的单晶炉腔体排气系统，其特征在于：所述夹层空间的宽度为30mm。