[实用新型]复合式连续加料器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种成长炉加料器，特别涉及一种应用于晶体成长的复合式连续加料器。

背景技术

随着集成电路的蓬勃发展，对半导体电子元件的需求与日俱增，而半导体的主要材料“硅”则是必须经过高温提炼后，才可达到半导体所需求的纯度。而一般来说，硅的提炼可分为单晶硅以及多晶硅，单晶硅的品质要求严格，制程速度慢但晶格排列一致，不会有晶界缺陷，而多晶硅因为生产速度快、工艺要求较低，因而具有价格优势，但相对的，其晶格排列并不一致，且具有晶界缺陷。

而为了配合单晶或多晶的成长，其所采用的晶体成长炉便不尽相同。如中国台湾专利公告第M344347号“单晶成长炉下料器”，其主要应用于单晶成长，能够稳定地控制下料速度及重量，但相对的，其生产速度较慢。而中国台湾专利公告第M343913号的“多晶成长炉连续加料器”，其公开了一种连续加料器的结构及加料方法，于多晶成长系统中，其选择一次性下料，通过一填料筒将多数料品落下至一坩锅内以使其熔融后进行多晶硅的制备工艺。其优点在于他过填料筒可进行大量的一次性下料，并且将该填料筒拉回后可在进行重复性的填料动作，但二次填料毕竟还是浪费了填料的时间，且若为小量填料时，更凸显其填料过程的时间浪费以及空间浪费。因此，不论是哪一种下料方式，都有其缺点，成为业界亟需改进的目标。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于提供一种复合式连续加料器，该复合式连续加料器不仅能够解决单晶硅及多晶硅必须搭配其各自的特制下料器使用的问题，还能解决现有技术的多晶成长连续加料器于二次下料时的时间及空间浪费的问题。

为达上述目的，本实用新型采取了以下技术方案。

一种复合式连续加料器，设置于一成长炉上，该复合式连续加料器包括有：一与该成长炉连接的主加料器，具有一进料腔体、一容料器及一升降机构，该进料腔体与该成长炉相连通，该容料器容置有多数料体，该升降机构分别与该进料腔体及该容料器连接；及一与该成长炉连接的副加料器，具有一置料容器、一缓冲下料器及一下料导引管，该置料容器容置有多数该料体，该缓冲下料器设置于该置料容器的一出口端，该下料导引管对应该缓冲下料器的一缓冲下料口并连通至该进料腔体。

进一步地，该升降机构为一可挠线式的升降机构，其具有一集线筒及一缠绕于该集线筒上的可挠线，该集线器与该进料腔体固定连接，而该可挠线与该容料器连接。

进一步地，该进料腔体具有一定位块，而该容料器具有一容置多数该料体的中空壳体、一输出多数该料体的输出开口、一配合该定位块卡止的定位槽，以及一与该输出开口组配的止料塞，该定位槽设置于该中空壳体外而与该中空壳体连接。

进一步地，该止料塞设置于该容料器内，该止料塞具有一连接端及一止料端，该可挠线通过该容料器与该连接端连接，而该止料端配合该输出开口的形状。

进一步地，该止料塞呈弧状，而该输出开口相对该止料塞而具有一颈部及开口端。

进一步地，该进料腔体与该成长炉连接处设有一隔离阀，该隔离阀具有一平移轨道及一与该平移轨道配合的阀门，且该平移轨道的位移方向垂直于该容料器的移动方向。

进一步地，该缓冲下料器具有一承接多数该料体的承载部、一防止多数该料体漏出的挡止部以及该缓冲下料口，该缓冲下料口与该承载部及该挡止部连接。

进一步地，该副加料器具有一与该承载部连接的开关控制器以及一固定该置料容器、该开关控制器及该缓冲下料器的位置的固定框架。

进一步地，该缓冲下料器还具有一固定在该固定框架上并与该承载部连接的枢接部。

进一步地，该开关控制器具有一摆臂以及一与该摆臂连接的控制线，该控制线通过该置料容器及该出口端与该承载部连接。

进一步地，该承载部与该挡止部连接形成一容置空间。

由此可知，本实用新型提供一种复合式连续加料器，其设置于一成长炉上，该复合式连续加料器包括有一与该成长炉连接的主加料器，及一与该成长炉连接的副加料器。

该主加料器具有一进料腔体、一容料器及一升降机构，该进料腔体与该成长炉相连通，该容料器容置有多数料体，该升降机构分别与该进料腔体及该容料器连接，供该容料器于该进料腔体内进行升降作业。该副加料器具有一置料容器、一缓冲下料器及一下料导引管，该置料容器容置有多数该料体，该缓冲下料器设置于该置料容器的一出口端，以承接由该置料容器输出的多数该料体，该下料导引管对应该缓冲下料器的一缓冲下料口并连通至该进料腔体。

由上述说明可知，相较于现有技术，本实用新型具有下列特点：