[实用新型]一种场限环结构

权利要求书

1.一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。

2.根据权利要求1所述的场限环结构，其特征在于，所述PIN结构的中间层为第一导电类型的衬底，所述PIN结构的第一导电类型层和第二导电类型层为在衬底中形成的PIN掺杂区。

3.根据权利要求2所述的场限环结构，其特征在于，所述PIN掺杂区的结深小于主结区和场限环的结深。

4.根据权利要求2所述的场限环结构，其特征在于，所述PIN结构的第一导电类型层的掺杂浓度高于衬底浓度，所述PIN结构的第二导电类型层的掺杂浓度低于主结区和场限环的掺杂浓度。

5.根据权利要求2所述的场限环结构，其特征在于，所述PIN掺杂区的宽度为相邻场限环之间的距离。

6.根据权利要求1所述的场限环结构，其特征在于，还包括：覆盖衬底表面上的钝化层。

7.根据权利要求6所述的场限环结构，其特征在于，所述钝化层包括氧化物层和半绝缘多晶硅层。