[实用新型]介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列无效
| 申请号： | 201120210902.X | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN202107644U | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 朱朋;沈瑞琪;叶迎华;胡艳;吴立志;周翔 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C06C5/00 | 分类号： | C06C5/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电式 al cuo 复合 薄膜 含能电 点火 阵列 | ||
1.一种介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥，其特征在于：点火桥桥体由上电极[1]、下电极[2]和电介质层[3]叠加而成，两层尺寸相同方向相反的金属薄膜分别作为上电极[1]和下电极[2]，与上电极[1]金属薄膜尺寸、方向都相同的Al/CuO复合薄膜层夹在两层金属薄膜之间作为电介质层[3]，Al/CuO复合薄膜层的一部分覆盖叠加在下电极[2]金属薄膜上，上电极[3]金属薄膜完全覆盖叠加在Al/CuO复合薄膜层上。
2.根据权利要求1所述的介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥，其特征在于：所述电介质层Al/CuO复合薄膜层为若干调制周期的Al/CuO复合薄膜，Al/CuO复合薄膜调制周期的具体参数为：Al薄膜的厚度是0.3-0.4μm，CuO薄膜的厚度是0.8-0.9μm。
3.根据权利要求1所述的介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥，其特征在于：所述金属薄膜和Al/CuO复合薄膜层采用微加工工艺磁控溅射、紫外曝光制得。
4.根据权利要求1所述的介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥，其特征在于：所述上电极金属薄膜、下电极金属薄膜可选择的金属为Pt、Ti、Cr、Al或Cu。
5.根据权利要求1所述的介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥，其特征在于：上电极、下电极和电介质层叠加重合部分的形状为圆形、正方形、长方形或三角形。
6.一种以介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥为基础单元的点火阵列，其特征在于：用Au金属薄膜或Cu金属薄膜制作成引线连接若干介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥排列成点火阵列。
7.根据权利要求6所述的以介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥为基础单元的点火阵列，其特征在于：所述Au金属薄膜或Cu金属薄膜采用微加工工艺磁控溅射、紫外曝光制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120210902.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
