[实用新型]适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构

权利要求书

1. 一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构，包括硅片背面衬底（4），其特征在于：在硅片背面衬底（4）的表面，形成有粘附层（3），在粘附层（3）的表面形成有阻挡层（2），在阻挡层（2）的表面形成有导电层（1）；所述粘附层（3）为非贵金属铝或钛、铝或铬、铝与硅进行合金形成的粘附层；所述阻挡层（2）为非贵金属钛、镍、锡铜合金或者钒、镍、锡铜合金或者铬、镍、锡铜合金依次形成的金属复合层；所述导电层（1）为贵金属金。

2.根据权利要求1所述的一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构，其特征在于：所述非贵金属铝或钛、铝或铬、铝总厚度为：0.5微米至5微米；所述阻挡层（2）各层金属厚度分别为：钛或铬或钒：0.05微米至0.2微米；镍：0.1微米至0.5微米；锡铜合金：1微米至4微米；所述金层的厚度为0.05-0.3微米。