[实用新型]IGBT版图

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种IGBT版图。

背景技术

目前IGBT的全称是Insulate Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管，是在MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)和GTR(电力晶体管)基础上发展起来的一种新型复合功率器件，作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT既具有MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又具有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。而主要用于通信、工业、医疗、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空、航天及国防等诸多领域。

IGBT器件在版图的实现上，是由并联的元胞区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点等组成。除了元胞区及终端区的结构对器件的性能有很大影响之外，栅极压焊点和源极压焊点的位置和排列方式，元胞区与终端区地衔接，元胞区与栅极压焊点部分的设计都会对器件产生很大影响，因此需要仔细设计布局以最优化芯片性能。

如图1所示，传统的IGBT版图中终端区01位于元胞区02周围，栅极压焊点04和源极压焊点03位于元胞区02上，且压焊点位于版图左侧，源极压焊点03有且仅有一个，并位于版图中间。通常IGBT器件的栅极材料是采用多晶硅制作的，均有较大的分布电阻。由于这些分布电阻的存在，在一定栅极偏压下，距离栅极压焊点04较远的元胞区02不一定完全有效开启。如果开启不充分，就会造成开启电压过高，电流不均匀等问题。为了解决这个问题，通常会加入gatebus将栅极电位引到远处，如图2所示，图示中分别设置有四个gatebus，gatebus05、gatebus06、gatebus07和gatebus08，其中，gatebus05将栅极压焊点引致位于上端的元胞区中，gatebus06将栅极压焊点引致位于下端的元胞区中，而gatebus07和gatebus08将栅极压焊点引致位于右端的元胞区中。但是因为gatebus处不能安排元胞，造成版图面积的浪费。另外，由于传统的版图上有且仅有一个源极压焊点03，可能会产生电流集中效应。

因此，如何研究出一种面积利用率高的IGBT版图，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种IGBT版图，以提高其面积利用率。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种IGBT版图，包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。

优选的，在上述IGBT版图中，所述源极压焊点的数量为两个。

优选的，在上述IGBT版图中，两个所述源极压焊点位于所述栅极压焊点的两侧。

本实用新型实施例中的IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。

另外，本实用新型实施例中设置有两个源极压焊点，可以避免电流集中效应，从而有效避免由于电流集中效应产生的热集中现象。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种IGBT版图布局图；

图2为现有技术中另一种IGBT版图布局图；

图3为本实用新型实施例提供的GBT版图布局图。

具体实施方式

相关术语解释

IGBT：Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管

压焊点：在芯片的钝化层上开的窗口，封装时在上面焊接金属丝，与管脚相连，将电位引出。