[实用新型]一种大面积投影光刻系统

权利要求书

1.一种大面积投影光刻系统，其特征在于包括有准分子激光器（1）、照明系统（2）、平移台（3）、掩模板（4）、投影系统（5）、硅片基板（6），其中掩模板（4）及硅片基板（6）分别装设在平移台（3）的两端，准分子激光器（1）通过照明系统（2）进行光路调制与光束质量优化后，使紫外激光的光斑透过安装在平移台（3）一端位置上的掩模板（4），掩模板（4）所成的激光物象通过投影系统（5）成像在安装在平移台（3）另一端位置上的硅片基板（6）上。

2. 根据权利要求1所述的大面积投影光刻系统大面积投影光刻系统，其特征在于上述平移台（3）具有三个相互垂直的三维立体自由度（7），分别为水平方向x1，垂直纸面方向y1，竖直方向z；z的调节遵循物象共轭准则使得掩模板（4）上的密布电路图案通过投影系统（5）曝光清晰成像在硅片基板（6）上；x1与y1的大范围调节使得系统实现的大面积投影光刻功能。

3.根据权利要求1所述的大面积投影光刻系统，其特征在于上述投影系统（5）包括有两个装设位置分别与掩模板（4）及硅片基板（6）对应的转角棱镜、激光器（8）、半反半透镜（9）、第一图像传感器（10）、第二图像传感器（11），其中转角棱镜都镀上介质膜，两个半反半透镜（9）分别装设在同轴对准激光器（8）的光源的位置上，且两个半反半透镜（9）的其中一个反射面分别与两个转角棱镜的位置相对应，两个半反半透镜（9）的另一个反射面分别与第一图像传感器（10）及第二图像传感器（11）的位置相对应，激光器（8）在经过半反半透镜（9）后，其反射光经过转角棱镜的介质膜分别照明掩模板（4）及硅片基板（6），所得到的视频图样再次经半反半透镜（9），最后分别被第一图像传感器（10）及第二图像传感器（11）获取。

4.根据权利要求3所述的大面积投影光刻系统，其特征在于上述转角棱镜都镀上对532nm高透、351nm高反的介质膜。

5.根据权利要求3所述的大面积投影光刻系统，其特征在于上述激光器（8）为同轴对准光源。

6.根据权利要求5所述的大面积投影光刻系统，其特征在于上述激光器（8）为掺钕钇铝石榴石激光器。

7.根据权利要求1至6任一项所述的大面积投影光刻系统，其特征在于上述平移台（3）与硅片基板（6）通过具有x2、y2、θ三个方向的三维微调对准装置（12）连接。