[实用新型]一种平面硅靶材有效

专利信息
申请号: 201120227524.6 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN202123744U 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 罗永春 申请(专利权)人: 厦门映日光电科技有限公司
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/00;C23C14/34
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 代理人: 方惠春
地址: 361000 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 平面 硅靶材
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及溅射镀膜技术领域,尤其是一种用于溅射镀膜的平面硅靶材。

背景技术

现有平面硅靶材大多是在平板型硅材的背面涂上一层铟材料层然后进行烧结制成靶材产品,平面硅靶材主要用于镀膜,在镀膜工序中是利用平面硅靶材的铟材料层与铜进行粘合后再进行镀膜作业;但是这种平面硅靶材,由于硅的硬度高,铟的硬度软、熔点低,两者的粘合强度不够理想,在使用中容易出现铟材料层和平板型硅材脱离,影响平面硅靶材的正常使用。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种平面硅靶材,铟材料层与平板型硅材的粘合强度高且导电性能较好,提高靶材使用的可靠性。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种平面硅靶材,包括平板型硅材,平板型硅材的背面依次镀有铬材料层、镍铬材料层、银材料层,最后在银材料层上涂铟材料层。

所述的平板型硅材为正方形或长方形。

所述的平板型硅材为多晶硅。

本实用新型由于在平板型硅材背面先进行镀膜,依次为第一层镀铬,铬的硬度较硅稍软,第二层镀镍铬,镍铬的硬度又较铬稍软,第三层镀银,银的硬度又较镍铬稍软,使各层的硬度依次降低,各层的结合强度又能得到保证,最后在银材料层上再喷涂铟材料层,因为铟的硬度与银相当,铟材料层和银材料层能很好结合,最终保证铟材料层与平板型硅材的粘合强度且导电性能较好,提高靶材使用的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型主视图。

图2是图1的A-A剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1、图2所示,一种平面硅靶材,包括平板型硅材1,平板型硅材1的背面依次镀有铬材料层2、镍铬材料层3、银材料层4,最后在银材料层4上涂铟材料层5。

所述的平板型硅材1为正方形或长方形。

所述的平板型硅材为多晶硅。

以上仅是本实用新型一个较佳实施例,本领域的技术人员只要是按权利要求作等同的改变都落入本案的保护范围。

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