[实用新型]一种液晶面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器的制造技术，尤其涉及一种液晶面板。 

背景技术

高级超维场开关技术(AD-SDS，Advanced-Super Dimensional Switching)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场，以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率，并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)等优点。 

为了减少薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Iiquid Crystal Display)的功耗，在设计时会尽可能的增大开口率以增加液晶层的透光效率，使得数据(data)线向的黑矩阵(BM，Black Matrix)的设计值越来越小；如图1所示，AD-SDS产品为常黑的显示模式，由于段差的影响，data线向的后沟槽处11无法进行取向，从而导致液晶12的排列异常，这种排列异常是现有工艺流程中无法避免的，随着开口率的不断增大，data线向的BM13的尺寸将越来越小，TFT与彩膜(CF，Color Filter)对位时容易发生偏移，导致CF侧的BM13随之偏移，从而导致0灰阶(L0，Level Gray 0)下像素周边漏光，对比度(CR，Contrast Ratio)将大大降低，而CR又是TFT-LCD非常重要的参数，因此将会影响TFT-LCD的性能。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种液晶面板，能够防止液晶 面板中像素周边漏光。 

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的： 

本实用新型提供一种液晶面板，包括：玻璃基板、数据data线、黑矩阵BM和防止漏光物；其中， 

防止漏光物贴附在下玻璃基板的下表面，且位于data线中背向摩擦方向的边缘与BM边缘之间。 

上述液晶面板中，所述防止漏光物为挡光胶带或BM。 

上述液晶面板中，所述挡光胶带为电光胶带。 

上述液晶面板中，所述防止漏光物的宽度为data线中背向摩擦方向的边缘与BM边缘之间的距离； 

所述防止漏光物的长度为每个亚像素所对应的data线的长度的一半。 

上述液晶面板中，该液晶面板还包括液晶、绝缘层、取向膜和上玻璃基板。 

本实用新型提供的液晶面板，防止漏光物贴附在下玻璃基板的下表面，且位于data线中背向摩擦方向的边缘与BM边缘之间，因此当液晶面板中发生对位偏移时，利用该方案将避免发生像素周边漏光的问题，从而避免CR的降低。 

附图说明

图1是现有技术中液晶面板的截面示意图； 

图2是本实用新型的液晶面板的截面示意图； 

图3是本实用新型的液晶面板的俯视图。 

附图标记说明： 

11-data线向的后沟槽处，12-液晶，13-BM，21-下玻璃基板，22-data线，23-防止漏光物，24-绝缘层，25-取向膜，26-上玻璃基板。 

具体实施方式

下面通过附图及具体实施例对本实用新型再做进一步的详细说明。 

本实用新型提供一种液晶面板，图2是本实用新型的液晶面板的截面示意图，如图2所示，该液晶面板包括：下玻璃基板21、data线22、BM 13和防止漏光物23；其中，防止漏光物23贴附在下玻璃基板21的下表面，且位于data线22中背向摩擦方向的边缘与BM 13边缘之间；其中，图2中从右往左的箭头方向为摩擦方向(rubbing directiong)。 

其中，防止漏光物23可以是挡光胶带或BM；例如，挡光胶带可以是电光胶带；如图2所示，所述防止漏光物23的宽度等于data线22中背向摩擦方向的边缘与BM 13边缘之间的距离，如图3所示，所述防止漏光物23的长度等于每个亚像素31所对应的data线的长度的一半，不同液晶面板的亚像素所对应的data线的长度不同；其中，图3中从左往右的箭头方向为摩擦方向。 

该液晶面板还可以包括液晶12、绝缘层24、取向膜25和上玻璃基板26。 

以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。