[实用新型]一种保护脉宽调制电路输出的应用电路有效

专利信息
申请号: 201120228007.0 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN202159473U 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 吕岩 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/34;G09G3/36
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 代理人: 王永文;杨宏
地址: 516001 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 脉宽调制 电路 输出 应用
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及保护电路,特别涉及一种保护脉宽调制电路输出的应用电路。

背景技术

脉冲宽度调制(PWM),简称脉宽调制,是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种技术,广泛应用在测量、通信等领域,其主要运用到功率控制与变换电路中。

如图1所示,现有技术PWM电路包括第一电阻R1'、第二电阻R2'和MOS管(metal oxid semiconductor,金属氧化物半导体场效应晶体管)Q1',第一电阻R1'的一端与脉宽调制电路的输出端PWM_OUT电连接,另一端则与所述MOS管Q1'的栅极电连接,MOS管Q1'的源极接地,漏极用于连接PMW电路输出的后级电路,第一电阻R1'与MOS管Q1'的栅极电连接的一端和MOS管Q1'的源极之间还串接有第二电阻R2'。

在图1中,所述PWM电路通过PWM芯片(图中未示出)输出不同的占空比的方波,来控制后端MOS管Q1'的对地导通时间,从而实现对后端输出电压或输出电流的控制。但是,当PWM芯片输出一个大占空比的方波时,后端MOS管Q1'的对地导通时间就会很长,这样很容易导致MOS管Q1'的过流损坏。

如图2所示,其为现有技术的PWM电路应用在AC-DC电源电路的示意图。如图所示,PWM芯片U1包括8个管脚,其中管脚1为U1的工作电源输入脚,管脚2为电压反馈输入,管脚3为参考电压输入,管脚4为过压/过温保护输入,管脚5为电流反馈输入,管脚6为高压启动输入,管脚7为U1的地输入,管脚8则为PWM电路的输出端,其输出电流通过电阻R1'直接连接到MOS管Q1'上,当该电路的DC端Vout(直流端)负载加大时,电路的输出电压便会下降,此时PWM电路通过反馈电路检测到其输出电压下降以后,就会调整PWM芯片U1输出波型,从而实现输出电压的稳定。但是,当DC输出端Vout输出电流特别大,或是直接短路到地时,PWM芯片U1就会输出一个非常大占空比的方波,这样极容易造成MOS管Q1'的损坏。

如图3所示,其为现有技术的PWM电路应用于数码相框LCD屏背光电路的示意图。PWM电路的输出端PWM_OUT通过电阻R1'直接连接到MOS管Q1'的栅极上,CON1为背光接插座,引脚1为背光电源正极输入,引脚2为背光电源负极输入,引脚3和4为固定接地引脚;图中LCD_LFBK1信号为PWM电路的反馈信号,当此反馈信号由外部环境影响出现抖动时,PWM_OUT输出就有可能出现一下占空比比较大的方波,这样极容易造成后端MOS管Q1'的损坏。

从上述PWM电路的两个应用实施例可以看出,尽管PWM电路的应用特别广泛,但当PWM电路输出比较大的方波时,极容易导致其后端的MOS管损坏,产品的性能难以保证。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处,本实用新型的目的在于提供一种保护脉宽调制电路输出的应用电路,以解决现有技术中PWM电路后级MOS管容易损坏的问题,实现对后级MOS管的保护。

为了达到上述目的,本实用新型采取了以下技术方案:

一种保护脉宽调制电路输出的应用电路,其包括第一电阻、第二电阻和MOS管,所述第一电阻的一端与脉宽调制电路的输出端连接,另一端与所述MOS管的栅极连接,所述MOS管的源极接地,所述第二电阻串联在MOS管的栅极和源极之间,其中,还包括用于对所述MOS管进行保护的积分电路,所述积分电路与所述第一电阻并联,两端分别与所述脉宽调制电路的输出端和MOS管的栅极电连接。

所述积分电路包括:第三电阻、第四电阻、电容和三极管;所述第三电阻的一端与所述脉宽调制电路的输出端连接,另一端连接三极管的基极,所述三极管的集电极与MOS管的栅极连接,发射极接地;所述第四阻的一端与三极管的基极连接,另一端接地,所述电容的一端与三极管的基极连接,另一端接地。

作为改进技术方案,所述积分电路包括:第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容和三极管;所述第三电阻的一端与所述脉宽调制电路的输出端连接,另一端连接三极管的基极,所述三极管的集电极与MOS管的栅极连接,发射极接地;所述第四阻的一端与三极管的基极连接,另一端接地,所述电容的一端与三极管的基极连接,另一端接地,所述第五电阻并接在第三电阻的两端。

作为改进技术方案,所述第三电阻的阻值为4.7KΩ,第一电容的容值为0.1uF。

作为改进技术方案,所述三极管为NPN型三极管。

作为改进技术方案,所述MOS管为N沟通MOS管。

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