[实用新型]一种用于化学气相沉积工艺的反应器

权利要求书

1.一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：

一反应腔；

具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；

用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及

设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；

其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

2.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述至少两个反射部的形状不相同。

3.根据权利要求1或2所述的反应器，其特征在于，所述至少一个反射部为槽或沟或波浪形的轮廓。

4.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述槽或沟或波浪形的轮廓的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长。

5.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述反射部为一个针对所述辐射加热射线的开口，且该开口的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长、该开口的高宽比大于1。

6.根据权利要求5所述的反应器，其特征在于，所述开口的宽度优选地为所述辐射加热射线的波长的5～100倍，所述开口的高宽比优选地为4～10。

7.根据权利要求1、2、4、5或6所述的反应器，其特征在于，所述每个反射部之间的距离均相等。

8.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述晶片托架边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。

9.一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：

一反应腔；

具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；

用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架，设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；

其特征在于，还包括一安装在所述旋转主轴的顶端的支撑盘，所述晶片托架安装在所述支撑盘上，所述支撑盘对应地被置于所述辐射加热元件的上方，其特征还在于，所述支撑盘的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

10.根据权利要求9所述的反应器，其特征在于，所述至少两个反射部的形状不相同。

11.根据权利要求9或10所述的反应器，其特征在于，所述至少一个反射部为槽或沟或波浪形的轮廓。

12.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述槽或沟或波浪形的轮廓的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长。

13.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述反射部为一个针对所述辐射加热射线的开口，且该开口的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长、该开口的高宽比大于1。

14.根据权利要求13所述的反应器，其特征在于，所述开口的宽度优选地为所述辐射加热射线的波长的5～100倍，所述开口的高宽比优选地为4～10。

15.根据权利要求9、10、12、13或14所述的反应器，其特征在于，所述每个反射部之间的距离均相等。

16.根据权利要求9所述的反应器，其特征在于，所述支撑盘可分离地安装在所述主轴顶端。

17.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述支撑盘边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。