[实用新型]一种光耦隔离式驱动单元电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光耦隔离式驱动单元电路，属于镇流器电压调整技术领域。

背景技术

开关电源与电子镇流器中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件，主要包括MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，场效应晶体管)和IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极性大功率晶体管)等，由于器件结构的不同，具体的驱动要求和技术也大不相同。因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性很有好处。这些大功率器件的运行状态及安全性直接决定了逆变器性能的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。

特别在电子镇流器产品中，由于开关机过程中，输出返峰高压很容易造成桥驱动控制源及次级驱动IC等元件的损坏，严重时殃及辅助供电等电路的大范围损坏。

发明内容

本实用新型提供了一种可靠性较高的光耦隔离式驱动单元电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种光耦隔离式驱动单元电路，包括：

正向电压控制单元，用于当输入信号为高电平时，呈为高电平导通状态，当输入信号为低电平时，呈为低电平静止状态；

反向电压控制单元，用于当输入信号为高电平时，呈为低电平静置状态，当输入信号为低电平时，呈为高电平导通状态。

由上述提供的技术方案可以看出，采用光耦隔离式驱动在输出返峰高压解决了造成桥驱动控制源及次级驱动IC等元件的损坏的问题，而且可靠性达999.9‰，成本和采购周期等都优于集成IC。

附图说明

图1为本实用新型的具体实施方式提供的光耦隔离式驱动单元电路的结构示意图；

图2为本实用新型的具体实施方式提供的正向电压控制单元的电路结构示意图；

图3为本实用新型的具体实施方式提供的反向电压控制单元的电路结构示意图。

具体实施方式

本具体实施方式提供了一种光耦隔离式驱动单元电路，如图1所示，包括：

正向电压控制单元1，用于当输入信号为高电平时，呈为高电平导通状态，当输入信号为低电平时，呈为低电平静止状态；

反向电压控制单元2，用于当输入信号为高电平时，呈为低电平静置状态，当输入信号为低电平时，呈为高电平导通状态。

具体的，如图2和图3所示，当正向电压控制单元1的输入信号DR-A为高电平时，Q9、Q19导通，其集电极点近似等于电源0电压，光耦迅速导通，HVCC通过R36、R35、R62、R61分压使Q10、Q20、Q12、Q21导通，Q11、Q22截止，DRTL、DRBR近似等于电源HVCC电压，迅速呈为高电平导通状态；当正向电压控制单元1的输入信号DR-A为低电平时，Q9、Q19截止，集电极点近似等于电源PFVCC电压，光耦迅速截止，Q10、Q20、Q12、Q21截止，Q11、Q22导通，DRTL、DRBR近似等于电源0电压，迅速呈为低电平截止状态。

反向电压控制单元2的DR-B端与正向电压控制单元1DR-A端刚好处于同周期的反向工作状态，工作原理与DR-A端完全相同，这里就不再敷述。

光电耦合器的要求是高速型光耦。这是因为对于桥式逆变电路，同一桥臂的上下两个互补的控制信号之间应当设置死区时间t(15～20μs之间)，因普通光耦开关时间较长，一般在(4～6μs)之间，而后级驱动的延迟时间长达10μs左右，而且可能出现开通与关断时间不等的现象，使正常的死区时间得不到保证。为了能安全可靠地工作，必须选用高速型光耦，并把后级驱动总延迟严格限制在5μs以内，如果把控制波形死区时间设置在20μs左右，光耦的选择就有更大的空间了。

采用本具体实施方式提供的技术方案，采用光耦隔离式驱动在输出返峰高压解决了造成桥驱动控制源及次级驱动IC等元件的损坏的问题，而且可靠性达999.9‰，成本和采购周期等都优于集成IC。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。