[实用新型]研磨垫

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体的制作，特别涉及一种用于化学机械研磨制程中研磨半导体晶片的研磨垫。 

背景技术

化学机械研磨(CMP)工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业，并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质(IMD)的平坦化。化学机械研磨(CMP)为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。其主要原因是由于超大规模集成电路随着线宽不断细小化而产生对平坦化的强烈需求。 

由于IC产业的快速发展，加上线宽的进一步缩小，使得晶片表面的高低起伏严重影响了制程技术的可靠性。由于表面层的高低起伏，所以我们每沉积一层薄膜，会使得表面的起伏变得更大，这种情况一直积累上去，到表面金属层时，在制程上会发生两个大问题：在镀上金属膜时，凹陷下去的部分和其它地方的厚度不均匀，此处不仅会引起电阻值增高，同时容易因为电子迁移而造成线路断路，造成元件具有很差的可靠性。另一方面，如果在这种凸凹不平的表面上涂覆光阻，在光阻显影时，会因为光阻深度不一，造成用来显影的光线在聚焦时，无法得到良好的解析度。 

习知在对半导体晶片进行化学机械研磨时，将晶片安置在半导体晶片研磨头的位置，使研磨头抓住半导体晶片的背部，而半导体晶片的正面则 压在铺有研磨垫的研磨台上，在进行化学机械研磨制程时，研磨台逆时针方向进行旋转，而半导体晶片研磨头则按顺时针方向自转且沿一水平方向移动，使半导体晶片得到很好的研磨效果，研磨效果通过激光侦测半导体晶片表面的反射率来完成半导体晶片研磨终点侦测(End-point-detection)。在完成化学机械研磨制程后，半导体晶片得到一平坦的表面。 

用于化学机械研磨制程的研磨半导体晶片的研磨垫一般由包括带有光学终点检测窗口111的研磨垫基材11、研磨垫基材背面的粘贴层12以及粘贴层上的整张背纸13，在更换研磨垫1过程中需揭去整张背纸13对准黏贴到化学机械研磨机台2上；化学机械研磨制程中的研磨垫为易耗品，使用周期到了需要进行更换，现有的研磨垫的不足之处在于，在更换研磨垫过程中需要将研磨垫上的光学终点检测窗口对准研磨垫的化学机械研磨机台上的信号窗口，更换需要操作熟练的人员进行，当光学终点检测窗口很小时，更容易贴偏、迫使操作人员重复黏贴易造成研磨垫损坏利用率低、研磨垫上的光学终点检测窗口偏离研磨垫的化学机械研磨机台上的信号窗口易造成晶片研磨终点侦测(End-point-detection)不准确，研磨后的晶片性能达不到要求。 

实用新型的内容 

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种易完成更换且光学终点检测窗口准确对准化学机械研磨机台上的信号窗口的研磨垫。 

本实用新型的技术方案如下：研磨垫包括带有光学终点检测窗口的研磨垫基材、研磨垫基材背面的粘贴层以及粘贴层上的背纸，其特殊之处在 于，所述背纸包括第一部分背纸和第二部分背纸。 

作为优选：所述第一部分背纸小于第二部分背纸。 

作为优选；所述的第一部分背纸和第二部分背纸相接处重叠；重叠处，第一部分背纸贴近粘贴层，第二部分背纸远离粘贴层。 

作为优选：所述研磨垫为光学终点检测窗口为圆形孔的软研磨垫。 

与现有技术相比，本实用新型的优点是结构简单、成本低、易更换、研磨垫的光学终点检测窗口准确对准化学机械研磨机台上的信号窗口，更换效果好，不产生偏移。 

附图说明

图1为现有技术研磨垫的俯视图。 

图2为现有技术研磨垫的正视图。 

图3为本实用新型研磨垫的俯视图。 

图4为本实用新型研磨垫的正视图。 

图5a-5c为本实用新型研磨垫的更换示意图。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步阐述：