[实用新型]一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构,属于功率器件封装技术领域。

背景技术

目前半导体功率器件封装中，优良的可靠性能的软焊料是其他焊料无法比拟的。但是在实际生产及研究中发现，软焊料具有优良的浸润性，同时也造成其在框架底板上往外铺展的不确定性，所带来的不良后果为芯片底下软焊料厚度一直难以有效的控制。焊料厚度太薄使芯片封装后的应力得不到有利地吸收，而焊料厚度太厚又使产品的热阻及压降增大。

双台面可控硅芯片具有单台面可控硅芯片无法比拟的优良的击穿特性以及可以使正反向阻断电压的电压值一致的优越性。但是在封装过程中，双台面可控硅芯片台面下的焊锡却容易引起可控硅反向电压失效，还可能形成芯片台面与台面底下软焊料层间的很薄的塑封料击穿引起后期失效。因此，应该提供一个新的技术方案解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种既能有效控制芯片底下软焊料厚度，又能防止双台面可控硅芯片反向电压失效的封装结构。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构，包括由上而下依次设置的可控硅芯片、可控硅芯片有效焊接金属层、软焊料层以及框架底板，所述可控硅芯片的两端均设有台面，所述软焊料层置于可控硅芯片有效焊接金属层与框架底板之间，所述软焊料层两端的框架底板上涂敷一层矩形条框阻焊层。

本实用新型的优点是：本实用新型在软焊料层两端的框架底板上涂敷一层矩形条框阻焊层，通过矩形条框阻焊层，可以阻挡软焊料往阻焊层条框以外铺展，通过调整软焊料的量可以有效控制软焊料厚度,软焊料厚度可控范围在20-80μm之间，从而可以根据工艺要求，通过调整软焊料的量来控制芯片底下软焊料厚度。另外，可以阻挡软焊料往阻焊层条框以外铺展，通过优化阻焊条框面积，可以防止软焊料铺展到芯片台面下，从而能有效避免软焊料造成可控硅芯片反向阻断电压功能失效及该问题带来的后期失效。

附图说明

   下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细叙述。

   图1为本实用新型封装结构平面图。

   图2为实用新型结构示意图。

   其中：1、框架底板，2、矩形条框阻焊层，3、软焊料层，4、可控硅芯片，5、台面，6、可控硅芯片有效焊接金属层。

 具体实施方式

   如图1和2所示，一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构，包括由上而下依次设置的可控硅芯片4、可控硅芯片有效焊接金属层6、软焊料层3以及框架底板1，所述可控硅芯片4的两端均设有台面5，所述软焊料层3置于可控硅芯片有效焊接金属层6与框架底板1之间，所述软焊料层3两端的框架底板1上涂敷一层矩形条框阻焊层2。本实用新型在可控硅芯片4焊接前，用丝网漏印法或喷涂法在框架底板1上涂敷一层矩形条框阻焊层2，矩形条框阻焊层2内矩形面积略大于待焊接可控硅芯片有效焊接金属引线膜面积，阻焊层外矩形面积略大于双台面可控硅芯片4面积，这样矩形条框阻焊层2既能达到阻焊目的，又能避免因阻焊层影响包封塑料对框架底板1的结合力。本实用新型通过矩形条框阻焊层2准确控制铅锡软焊料铺展面积即矩形条框阻焊层2的内矩形面积，通过调整软焊料的量来精确控制软焊料层3的厚度。