[实用新型]均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构有效

专利信息
申请号: 201120234618.6 申请日: 2011-07-05
公开(公告)号: CN202246090U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 刘春江;黄哲庆;段连;袁希钢 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 均匀 取热式 多晶 还原 底盘 冷却 结构
【权利要求书】:

1.一种均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,包括还原炉底盘上底板、还原炉底盘下底板、还原炉底盘中间隔板、电极、进气口、电极套筒、多根导流管、多个底盘冷却水进口、底盘冷却水出口、底盘法兰、底盘上空腔、底盘下空腔;其特征是还原炉底盘上底板、还原炉底盘中间隔板、还原炉底盘下底板都焊接在底盘法兰上,且底盘中间隔板位于底盘法兰正中间。

2.如权利要求1所述的均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,其特征是还原炉底盘上的每一根电极的周围都有一个电极套筒,电极套筒直接焊接到还原炉底盘中间隔板上,电极套筒与电极之间有2mm~10mm环隙,电极套筒与还原炉底盘上底板和还原炉底盘下底板之间有2mm~10mm的缝隙。

3.如权利要求1所述的均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,其特征是还原炉底盘中间隔板外圆周焊接有12~30根导流管,导流管与还原炉底盘上底板和还原炉底盘下底板之间有2mm~10mm的缝隙,导流管与底盘法兰的间距为30mm~60mm,且均匀分布在同一圆周上。

4.如权利要求1所述的均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,其特征是还原炉底盘下底板均匀分布6~12个底盘冷却水进口,且均匀分布在同一圆周上。

5.如权利要求1所述的均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,其特征是还原炉底盘中间隔板正中心分布1个底盘冷却水出口。

6.如权利要求1所述的均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构,其特征是还原炉底盘上底板与还原炉底盘中间隔板形成了一个底盘上空腔,底盘上空腔与底盘冷却水出口相连通;还原炉底盘下底板和还原炉底盘中间隔板形成了一个底盘下空腔,底盘下空腔与底盘冷却水进口相连通。

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