[实用新型]48V电路热插拔保护装置无效
申请号: | 201120236058.8 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN202121314U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 肖兰 | 申请(专利权)人: | 肖兰 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315100 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 48 电路 热插拔 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电路保护装置,尤其是48V电路热插拔保护装置。
背景技术
当电路板插入带电背板时,电路板上电源模块或开关电源输入端的旁路电容会在它们放电时吸入很大的浪涌电流。不受控制的浪涌电流将在系统电源上造成瞬态故障,损坏线路板上的器件,在很多电器设备中缺乏一种便捷的热插拔电路保护装置。
发明内容
为了克服传统的48V电路设备缺乏一种热插拔电路保护装置的缺点。本实用新型提供一种48V电路热插拔保护装置,从而使的被保护电路允许采用较细的电路板布线、可使用廉价的小型连接器、电源通道上允许采用通用的小尺寸元件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:48V电路热插拔保护装置,包括浪涌电流控制模块、限流模块、热关断模块,其特征在于,浪涌电流控制模块、限流模块、热关断模块依次连接。48V电路热插拔保护装置通过浪涌电流控制模块防止插拔过程产生的浪涌现象,平滑电流,限流模块防止热插拔过程中的过流情况,限制最大电流,热关断模块检测瞬间温度达到阙值则关断电路,形成热保护。
本实用新型的有益效果是,在系统中添加电路热插拔保护装置后,可以降低对主电源的要求,从而弥补系统成本的提高。
附图说明
图1是本实用新型的原理框图;图2是本实用新型的电结构图。
具体实施方式
在图1中,48V电路热插拔保护装置,包括浪涌电流控制模块1、限流模块2、热关断模块3,浪涌电流控制模块1、限流模块2、热关断模块3依次连接。48V电路热插拔保护装置通过浪涌电流控制模块1防止插拔过程产生的浪涌现象,平滑电流,限流模块2防止热插拔过程中的过流情况,限制最大电流,热关断模块3检测瞬间温度达到阙值则关断电路,形成热保护。
在图2中,浪涌电流控制模块1采用MAX5920,可以安装在背板或可移动的电路板卡上,通过在电源通道上放置的一个外部 N 沟道MOSFET 调整管给负载供电。当电路板首次与背板连结时,Q1 的漏极与栅极之间的电容将栅极电压上拉到MAX5920 在GATE 引脚和VEE之间具有内部动态嵌位,能够在热插入期间保持 Q1 的栅源电压为低,防止Q1 将未受控制的电流传递给负载。在大多数应用中,可以省去外部栅源电容。在板卡插入过程中,电阻R 3 用来限制流入嵌位电路的电流。MAX5920 内部集成了限流功能和断路器,以便在负载电流过大和短路情况下保护电路。通过检测 VEE和SENSE 之间外部检流电阻的电压来监视负载电流。如果V EE和SENSE 之间的电压达到限流门限电压( V CL) ,MAX5920 会从GATE 端拉电流实现负载电流调节。这就降低了外部MOSFET 的栅源电压,从而减少负载电流,MAX5920 包含一个内部管芯温度监视器,当管芯温度达到热关断阀值T OT时,MOSFET 栅极被拉低,断开外部MOSFET。如果MOSFET 和MAX5920 之间有良好的导热通道,芯片可为外部MOSFET 提供热保护。由于大部分功率消耗在漏极,将MAX5920 靠近外部MOSFET 的漏极放置,可以获得最佳的热保护效果。
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