[实用新型]一种新型开关整流半桥

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种开关整流半桥，尤其涉及一种用于摩托车专用线路的、结构简单、功耗低、开关速度快的新型开关整流半桥，属于开关整流元器件的生产领域。

背景技术

      目前，用于摩托车专用线路的整流或变压电路中的核心部件整流桥，其开关应用最多的是可控硅开关，其部件整流半桥为可控硅整流半桥，这种整流半桥存在以下缺点：结构比较复杂、功耗较大、导通电阻较大、开关速度较慢，而且静态及动态的过载能力较差、容易受干扰而误导通。在现代社会对电子产品性能的高要求下，可控硅整流半桥已经越来越难以满足要求。

发明内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、功耗低、开关速度快的新型开关整流半桥。

    为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

本实用新型用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其创新在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）全称为金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET 具有正温度系数，当结温升高时，通态电阻增大，有自限流作用，热稳定性高，MOSFET可以并联使用，通过其正的温度系数，多管之间可以实现自动均流效果，开关速度快，工作频率高，是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一。MOSFET与二极管结合应用，可以通过改变二极管导电的方向、电压的大小等参数来改变开关的性能，应用非常方便。

具体地，所述寄生二极管D1的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极；所述外接二极管D2的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的源极到外接接线端。

在所述金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间还可以并联连接一个外接二极管D3；所述外接二极管D3的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极。

本实用新型的有益效果在于：

与用于摩托车专用线路的传统可控硅作开关的整流半桥相比，本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，用途广泛。

附图说明

    图1是本实用新型的电路结构图之一；

    图2是本实用新型的电路结构图之二。

具体实施方式

    下面结合附图对本实用新型作进一步具体说明：

如图1所示，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。实际应用中，本实用新型可方便组成整流全桥或三相桥，可与其它电路配合组成整流电路或变压电路。

如图1所示，寄生二极管D1的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极；外接二极管D2的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的源极到外接接线端。

如图2所示，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间还并联连接有一个外接二极管D3。外接二极管D3的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极。这种整流半桥可应用到有特殊要求的电路中。