[实用新型]一种磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201120241901.1 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN202193838U | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 班超;程春生;张钦廉;曹嘉寰;李传文;符东浩;刘毅楠;赵浩 | 申请（专利权）人： | 平湖中天合波通信科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 314200 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射镀膜装置，该镀膜装置中包括有靶结构，其特征在于，所述的靶结构中包括有第一单组份靶、第二单组份靶和靶仓，所述的第一单组份靶和第二单组分靶各占据一个靶位，对称地放置于所述的靶仓中，第一单组份靶和第二单组份靶均连接有电源。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述的第一单组份靶和第二单组份靶分别连接有不同的外接电源。
3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述的外接电源或为直流、或为交流、或为射频电源。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述的第一单组份靶和第二单组份靶连接共同的交流电源。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述的第一单组份靶和第二单组份靶均为平面靶结构、或者为圆柱靶结构。
6.根据权利要求7所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述的第一单组份靶为纯Ta靶，第二单组份靶为纯Nb靶，且为圆柱靶。
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