[实用新型]发光二极体基板与发光二极体有效
| 申请号： | 201120248143.6 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN202395026U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 曾柏翔;林博文;彭俊彦;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215316 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 | ||
1.一种发光二极体基板，包括一蓝宝石基板，其特征在于：
该蓝宝石基板包括由多个无转折六角锥体所构成的一表面，且这些无转折六角锥体的周期(pitch)小于10μm，其中各无转折六角锥体的对称剖面具有一个第一底角和一个第二底角，第二底角大于该第一底角，且第二底角的角度在50度至70度之间。
2.如权利要求1所述的发光二极体基板，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的周期在0.1μm～3μm之间。
3.如权利要求1所述的发光二极体基板，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的最大高度为1μm～2μm之间。
4.如权利要求3所述的发光二极体基板，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的高度较佳为1.5μm～2μm之间。
5.如权利要求1所述的发光二极体基板，其特征在于，其中各无转折六角锥体的顶部为平面或尖端。
6.如权利要求1所述的发光二极体基板，其特征在于，其蓝宝石基板的无转折六角锥体所构成的表面包括(0001)面，且其(0001)面占该表面投影面积的10％～60％之间。
7.如权利要求6所述的发光二极体基板，其特征在于，其中该表面包括(0001)面，且其(0001)面较佳是占该表面投影面积的10％～30％之间。
8.一种发光二极体，包括：
一蓝宝石基板，包括由多个无转折六角锥体所构成的一表面，且这些无转折六角锥体的周期小于10μm，其中各无转折六角锥体的对称剖面具有一个第一底角和一个第二底角，其第二底角大于第一底角，且第二底角的角度在50度至70度之间；
该发光二极体有一个第一半导体层，配置在该蓝宝石基底上；
该发光二极体有一个发光层，配置在该第一半导体层上；
该发光二极体有一个第二半导体层，配置在发光层上；
该发光二极体有一个第一欧姆电极，接触第一半导体层；
该发光二极体有一个第二欧姆电极，接触第二半导体层。
9.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的周期在0.1μm～3μm之间。
10.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的最大高度为1μm～2μm之间。
11.如权利要求10所述的发光二极体，其特征在于，其中这些无转折六角锥体的高度为较佳 1.5μm～2μm之间。
12.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其中各无转折六角锥体的顶部为平面或尖端。
13.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其中该表面包括(0001)面，且其(0001)面占该表面之投影面积的10％～60％。
14.如权利要求13所述的发光二极体，其特征在于，其中该表面包括(0001)面，且其(0001)面较佳占该表面之投影面积的10％～30％。
15.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其第一半导体层、发光层与该第二半导体层包括III-V族半导体。
16.如权利要求15所述的发光二极体，其特征在于，其III-V族半导体为氮化镓系半导体。
17.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其第一欧姆电极与其第二欧姆电极是含自镍、铅、钴、铁、钛、铜、铑、金、钌、钨、锆、钼、钽、银和它们的氧化物、氮化物中一种或多种的合金或多层膜。
18.如权利要求8所述的发光二极体，其特征在于，其第一欧姆电极与其第二欧姆电极是含自铑、铱、银、铝中一种或多种的合金或多层膜。
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