[实用新型]双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管

权利要求书

1.双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管的场效应晶体管，其特征在于：包括U型的柔性基底，所述柔性基底共分三层：外层（12）、中层（11）和内层（10）；所述内层（10）中部设有底栅电极（9）；所述底栅电极（9）中部向上呈阶梯状的拱形，底栅电极（9）上部依次设有底栅绝缘层（8）和碳纳米管随即网络薄膜层（7），所述底栅绝缘层（8）和碳纳米管随即网络薄膜层（7）的形状与底栅电极（9）相同，即中部向上呈阶梯状的拱形；所述碳纳米管随即网络薄膜层（7）上部呈阶梯状的拱形的两侧分别设有漏电极（5）和源电极（6）；所述漏电极（5）和源电极（6）的顶部设有二氧化铪薄膜层（4）；与漏电极（5）对应的二氧化铪薄膜层（4）的顶部设有漏电极引线（13），与源电极（6）对应的二氧化铪薄膜层（4）的顶部设有源电极引线（16）；与碳纳米管随即网络薄膜层（7）对应的二氧化铪薄膜层（4）顶部依次设有顶栅电极（3）和顶栅电极引线（15）；所述漏电极引线（13）、顶栅电极引线（15）和源电极引线（16）相互平行；底栅电极（9）的电极引线为（14）位于漏电极引线（13）、顶栅电极引线（15）和源电极引线（16）的后部，且垂直于漏电极引线（13）、顶栅电极引线（15）和源电极引线（16）。

2.根据权利要求1所述的双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管的场效应晶体管，其特征在于：所述外层（12）、中层（11）和内层（10）材料分别为聚酰亚胺、聚氨酯、聚酰胺酸；所述顶栅电极（3）材料为硅；所述底栅电极（9）材料为金；所述漏电极（5）和源电极（6）材料分别为金，厚度为30nm；所述底栅绝缘层（8）材料为二氧化铪；所述二氧化铪薄膜层（4）的厚度为10nm以内。